研究了Ni/HfO2(10 nm)/Pt存儲(chǔ)單元的阻變特性和機(jī)理.該器件具有forming-free的性質(zhì),還表現(xiàn)出與以往HfO2(3 nm)基器件不同的復(fù)雜的非極性阻變特性,并且具有較大的存儲(chǔ)窗口值(>105).存儲(chǔ)單元的低阻態(tài)阻值不隨單元面積改變,符合導(dǎo)電細(xì)絲阻變機(jī)理的特征.采用X射線光電子能譜儀分析器件處于低阻態(tài)時(shí)的阻變層HfO2薄膜的化學(xué)組分以及元素的化學(xué)態(tài),結(jié)果表明,Ni/HfO2/Pt阻變存儲(chǔ)器件處于低阻態(tài)時(shí)的導(dǎo)電細(xì)絲是由金屬Ni導(dǎo)電細(xì)絲和氧空位導(dǎo)電細(xì)絲共同形成的.

【文章頁(yè)數(shù)】：7 頁(yè)

【文章目錄】：
1 引言
2 器件制作和測(cè)試
3 結(jié)果與討論
4 結(jié)論



本文編號(hào)：3759365