借助脈沖激光沉積和原子層沉積系統(tǒng),采用SiO2作為隧穿氧化物,Al2O3作為阻擋氧化物,制備了多層HfO2/Al2O3薄膜基電荷陷阱存儲器件。實驗發(fā)現(xiàn),當(dāng)電極偏壓為±12 V時,存儲窗口達(dá)到7.1 V,電荷存儲密度約為2.5×1013cm-2。HfO2/Al2O3之間的界面在電荷存儲過程中起著關(guān)鍵的作用,更多的電荷存儲在界面的陷阱之上。經(jīng)過3.6×104s的保持時間,25,85和150℃測試溫度下,器件的電荷損失量分別為5%,12%和23.5%。線性外推實驗數(shù)據(jù)得到,150℃下,經(jīng)過10年的電荷損失量約為42%。器件優(yōu)異的保持性能主要?dú)w因于HfO2/Al2O3薄膜之間較大的導(dǎo)帶補(bǔ)償。由此可以看出,多層HfO2/Al2O3薄膜基電荷陷阱存儲器件是一種極具應(yīng)用前景的電荷存儲結(jié)構(gòu)。

【文章頁數(shù)】：5 頁

【文章目錄】：
1 器件的制備與測試分析
    1.1 陶瓷靶材的制備
    1.2 電荷存儲器件的制備
    1.3 器件的微觀結(jié)構(gòu)表征和電學(xué)性能分析
2 結(jié)果分析
    2.1 器件的微觀結(jié)構(gòu)
    2.2 器件的電荷存儲窗口測試
    2.3 器件保持性能測試
    2.4 器件的能帶排列分析
3 結(jié)論



本文編號：4023284