本文關(guān)鍵詞：量子壘結(jié)構(gòu)對Si襯底GaN基綠光LED光電性能的影響，，由筆耕文化傳播整理發(fā)布。

【摘要】：在Si襯底上外延生長了3種不同量子壘結(jié)構(gòu)的綠光外延片并制作成垂直結(jié)構(gòu)芯片,3種量子壘結(jié)構(gòu)分別為Ga N、In0.05Ga0.95N/Al0.1Ga0.9N/In0.05Ga0.95N、In0.05Ga0.95N/Ga N/In0.05Ga0.95N,對應(yīng)的3種芯片樣品為A、B、C,研究了3種樣品的變溫電致發(fā)光特性。壘結(jié)構(gòu)的改變雖然對光功率影響很小,但是在光譜性能上會引起顯著改變,結(jié)果如下:在低溫(13 K)大電流下,隨著電流密度的增大,樣品的EL譜峰值波長藍(lán)移更為顯著,程度依次為BA≈C;在高溫(300 K)小電流下,隨著電流密度的增大,樣品EL譜的峰值波長藍(lán)移程度的大小依次為ABC。在同一電流下,隨著溫度的升高,樣品在大部分電流下的EL譜峰值波長出現(xiàn)"S"型波長漂移,在極端電流下又表現(xiàn)出不同的漂移情況。這些現(xiàn)象與局域態(tài)、應(yīng)力、壓電場、禁帶寬度等因素有關(guān)。
【作者單位】： 閩南師范大學(xué)物理與信息工程學(xué)院;南昌大學(xué)國家硅基LED工程技術(shù)研究中心;
【關(guān)鍵詞】： 壘結(jié)構(gòu) 綠光LED 電致發(fā)光 硅襯底 MOCVD
【基金】：國家科技部支撐計劃(2011BAB32B01)資助項目
【分類號】：TN312.8
【正文快照】： 1引言近年來,Ga N基半導(dǎo)體器件尤其是In Ga N/Ga N LED在晶體生長、器件制備等方面取得多項重大技術(shù)突破[1-4],已廣泛用于各種顯示、背光和家用照明等領(lǐng)域。硅襯底具有價格便宜、易獲得大尺寸等優(yōu)勢,有利于降低半導(dǎo)體照明的成本;但是Si和Ga N有很大的晶格失配(17%)和巨大的熱

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本文編號：421962