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921. 刻蝕AlN緩沖層對硅襯底N極性n-GaN表面粗化的影響
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922. 襯底切偏角和p型歐姆接觸對Si襯底GaN基LED性能穩(wěn)定性的影響
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923. GaN基p-i-n和肖特基紫外探測器的響應(yīng)光譜及暗電流特性
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924. Scalable Multi-harmonic Large-Signal Model for AlGaN/GaN HEM
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925. 點(diǎn)缺陷對極性ZnO：La/Y表面和GaN/ZnO界面磁光性能的影響
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926. AlGaN/GaN異質(zhì)結(jié)場效應(yīng)晶體管載流子遷移率和相關(guān)器件特性參數(shù)研究
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927. Ga 2 O 3 /GaN/藍(lán)寶石模板上β-Ga 2 O 3 薄膜的生長
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928. GaN薄膜在金屬襯底Ti、Mo上的低溫ECR-PEMOCVD生長及其性能影響機(jī)制研究
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929. 等離子體表面處理對硅襯底GaN基藍(lán)光發(fā)光二極管內(nèi)置n型歐姆接觸的影響
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930. (GaN) 1-x （ZnO） x 納米材料的形貌和帶隙調(diào)控及光催化性能研究
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