為獲得高質(zhì)量的β-Ga₂O₃薄膜,將c面藍(lán)寶石上生長(zhǎng)的GaN薄膜進(jìn)行高溫氧化制成了Ga₂O₃/GaN/藍(lán)寶石模板,進(jìn)而在模板上利用金屬有機(jī)化學(xué)氣相沉積(MOCVD)工藝進(jìn)行了β-Ga₂O₃薄膜的同質(zhì)外延。通過(guò)X射線衍射儀、原子力顯微鏡、場(chǎng)發(fā)射掃描電子顯微鏡等方法對(duì)樣品的晶體結(jié)構(gòu)、表面形貌等性質(zhì)進(jìn)行測(cè)試與分析。結(jié)果表明,該方法獲得的β-Ga₂O₃薄膜晶體質(zhì)量受GaN薄膜氧化效果與MOCVD工藝條件等因素影響較大。通過(guò)優(yōu)化實(shí)驗(yàn)條件,得到了質(zhì)量較高的β-Ga₂O₃薄膜。與藍(lán)寶石上或GaN薄膜上異質(zhì)外延得到的β-Ga₂O₃薄膜相比,薄膜的晶體質(zhì)量明顯提高。通過(guò)對(duì)比不同樣品的晶體質(zhì)量、表面形貌和制備過(guò)程,發(fā)現(xiàn)該方法成功地將β-Ga₂O₃薄膜在藍(lán)寶石襯底或GaN/藍(lán)寶石模板上異質(zhì)外延轉(zhuǎn)化為了Ga...

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【文章目錄】：
1 引 言
2 實(shí) 驗(yàn)
3 結(jié)果與討論
    3.1 Ga2O3/GaN/藍(lán)寶石模板的AFM照片分析
    3.2 β-Ga2O3薄膜的X射線衍射圖分析
    3.3 β-Ga2O3薄膜的場(chǎng)發(fā)射掃描電子顯微鏡照片分析
    3.4 β-Ga2O3薄膜質(zhì)量對(duì)比
4 結(jié) 論



本文編號(hào)：3820367