為獲得高質(zhì)量的β-Ga₂O₃薄膜,將c面藍寶石上生長的GaN薄膜進行高溫氧化制成了Ga₂O₃/GaN/藍寶石模板,進而在模板上利用金屬有機化學氣相沉積(MOCVD)工藝進行了β-Ga₂O₃薄膜的同質(zhì)外延。通過X射線衍射儀、原子力顯微鏡、場發(fā)射掃描電子顯微鏡等方法對樣品的晶體結(jié)構(gòu)、表面形貌等性質(zhì)進行測試與分析。結(jié)果表明,該方法獲得的β-Ga₂O₃薄膜晶體質(zhì)量受GaN薄膜氧化效果與MOCVD工藝條件等因素影響較大。通過優(yōu)化實驗條件,得到了質(zhì)量較高的β-Ga₂O₃薄膜。與藍寶石上或GaN薄膜上異質(zhì)外延得到的β-Ga₂O₃薄膜相比,薄膜的晶體質(zhì)量明顯提高。通過對比不同樣品的晶體質(zhì)量、表面形貌和制備過程,發(fā)現(xiàn)該方法成功地將β-Ga₂O₃薄膜在藍寶石襯底或GaN/藍寶石模板上異質(zhì)外延轉(zhuǎn)化為了Ga...

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【文章目錄】：
1 引 言
2 實 驗
3 結(jié)果與討論
    3.1 Ga2O3/GaN/藍寶石模板的AFM照片分析
    3.2 β-Ga2O3薄膜的X射線衍射圖分析
    3.3 β-Ga2O3薄膜的場發(fā)射掃描電子顯微鏡照片分析
    3.4 β-Ga2O3薄膜質(zhì)量對比
4 結(jié) 論



本文編號：3820367