AlGaN/GaN異質(zhì)結(jié)場(chǎng)效應(yīng)晶體管（HFETs）作為GaN材料在電子器件應(yīng)用中的重要代表,近二十多年來備受關(guān)注。一方面,AlGaN/GaNHFETs有效地發(fā)揮了 GaN材料本身所具備的大的禁帶寬度、高的擊穿電壓、高的飽和電子漂移速度、良好的抗輻射和抗腐蝕等優(yōu)異特性;另一方面,由于AlGaN/GaN異質(zhì)結(jié)材料中自發(fā)極化和壓電極化的存在,使得在AlGaN勢(shì)壘層無需摻雜的情況下,便可在AlGaN/GaN異質(zhì)結(jié)界面處產(chǎn)生電子面密度高達(dá)～1 × 1013 cm-2,電子遷移率高達(dá)～2000 cm-2/V·s的二維電子氣（2DEG）,這不僅有效的彌補(bǔ)了 GaN本身由于電子有效質(zhì)量大而造成的電子遷移率低（～1000 cm-2/V·s）這一不足,也避免了摻雜帶來的電離施主雜質(zhì)散射的影響,從而為器件提供了性能優(yōu)越的溝道輸運(yùn)層。AlGaN/GaNHFETs的這些特點(diǎn),使它在高頻大功率領(lǐng)域具有獨(dú)特的優(yōu)勢(shì),在軍事領(lǐng)域中的雷達(dá)通信、電子對(duì)抗,民用通信中的5G應(yīng)用、小型基站、新型通信微型衛(wèi)星,電力傳輸,以及汽車電子中有著廣闊的應(yīng)用前景。因此,研究AlGaN/GaNHFETs,對(duì)于提高我國(guó)的軍事力量和民用設(shè)備性能... 

【文章頁數(shù)】：201 頁

【學(xué)位級(jí)別】：博士

【部分圖文】：

圖１－２?ＧａＮ功率電子市場(chǎng)規(guī)模（根據(jù)應(yīng)用劃分）??Ｆｉｇ．?１￣２?

圖１－３?ＧａＮ基電子器件的應(yīng)用領(lǐng)域??Ｆｉｇ．?１－３?Ａｐｐｌｉｃａｔｉｏｎ?ｆｉｅｌｄｓ?ｏｆ?ＧａＮ－ｂａｓｅｄ?ｅｌｅｃｔｒｏｎｉｃ?ｄｅｖｉｃｅｓ．??

圖２－１?ＡｌＧａＮ／ＧａＮ異質(zhì)結(jié)材料示意圖??Ｆｉｇ．?２－１?Ｓｃｈｅｍａｔｉｃ?ｄｉａｇｒａｍ?ｏｆ?ｔｈｅ?ＡｌＧａＮ／ＧａＮ?ｈｅｔｅｒｏｓｔｒｕｃｔｕｒｅ?ｍａｔｅｒｉａｌ??


本文編號(hào)：3713217