【摘要】：研究了p-i-n型和肖特基型Ga N基紫外探測(cè)器的響應(yīng)光譜和暗電流特性。實(shí)驗(yàn)發(fā)現(xiàn),隨著p-Ga N層厚度的增加,p-i-n型紫外探測(cè)器的響應(yīng)度下降,并且在短波處下降更加明顯。肖特基探測(cè)器的響應(yīng)度明顯比pi-n結(jié)構(gòu)高,主要是由于p-Ga N層吸收了大量的入射光所致。肖特基型紫外探測(cè)器的暗電流遠(yuǎn)遠(yuǎn)大于p-i-n型紫外探測(cè)器的暗電流,和模擬結(jié)果基本一致,主要是肖特基型探測(cè)器是多子器件,而p-i-n型探測(cè)器是少子器件。要制備響應(yīng)度大、暗電流小的高性能Ga N紫外探測(cè)器,最好采用p-Ga N層較薄的p-i-n結(jié)構(gòu)。
[Abstract]:The response spectra and dark current characteristics of p-i-n and Schottky type Ga N based UV detectors are studied. It is found that the responsivity of the p-i-n UV detector decreases with the increase of the thickness of the p-Ga N layer, and the decrease is more obvious at the shortwave. The responsivity of Schottky detector is obviously higher than that of pi-n structure, which is mainly due to the large amount of incident light absorbed by p-Ga N layer. The dark current of Schottky type ultraviolet detector is much larger than that of p-i-n type ultraviolet detector, which is basically consistent with the simulation results. The Schottky type detector is a multi-carrier device, while the p-i-n type detector is a minority carrier device. In order to fabricate high performance Ga N UV detectors with high responsivity and low dark current, a thin p-i-n structure with p-Ga N layer is preferred.
【作者單位】： 中國(guó)農(nóng)業(yè)大學(xué)理學(xué)院應(yīng)用物理系;中國(guó)科學(xué)院半導(dǎo)體研究所集成光電子國(guó)家重點(diǎn)實(shí)驗(yàn)室;
【基金】：國(guó)家自然科學(xué)基金(61474142,21403297,11474355)資助項(xiàng)目~~
【分類(lèi)號(hào)】：TN23

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本文編號(hào)：2389738