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741. 熱源尺寸對(duì)AlGaN/GaN HEMT器件熱阻的影響機(jī)理
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742. AlGaN/GaN HEMT器件的高場(chǎng)高溫可靠性研究
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743. 垂直結(jié)構(gòu)GaN基LED薄膜芯片靜電失效演變的表征與研究
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744. 電流增益截止頻率為236 GHz的InAlN/GaN高頻HEMT
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745. 量子壘結(jié)構(gòu)對(duì)Si襯底GaN基綠光LED光電性能的影響
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746. 砷化鎵GaAs氮化鎵GaN材料的發(fā)展趨勢(shì)與市場(chǎng)應(yīng)用
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747. N面GaN基HEMT器件的直流特性數(shù)值模擬和仿真研究
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748. GaN基半導(dǎo)體材料熱電性質(zhì)的第一性原理計(jì)算與研究
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749. 2017年射頻GaN市場(chǎng)打響未來器件之戰(zhàn)哪項(xiàng)技術(shù)會(huì)出局
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750. GaN-MOCVD垂直噴淋式反應(yīng)室的優(yōu)化設(shè)計(jì)
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