本文關(guān)鍵詞：砷化鎵GaAs氮化鎵GaN材料的發(fā)展趨勢(shì)與市場(chǎng)應(yīng)用

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【摘要】：由于半導(dǎo)體材料硅Si在物理特性上的先天限制,僅能應(yīng)用在1GHz以下的工作頻率。砷化鎵GaAs主要用于微波功率器件,即工作在微波波段(頻率300-300 000MHz之間)的半導(dǎo)體器件。氮化鎵材料由于禁帶寬度達(dá)到3.4eV,成為高溫、高頻、大功率微波器件的首選材料之一。本文介紹了國(guó)內(nèi)外砷化鎵GaAs、氮化鎵GaN材料的發(fā)展趨勢(shì)。
【關(guān)鍵詞】： 半導(dǎo)體材料 砷化鎵GaAs 氮化鎵GaN
【分類號(hào)】：TN304.2
【正文快照】： 半導(dǎo)體材料是制作半導(dǎo)體器件和集成電路的電子材料,是半導(dǎo)體工業(yè)的基礎(chǔ)。隨著新的半導(dǎo)體材料出現(xiàn)、電力電子技術(shù)進(jìn)步與制作工藝的提高,半導(dǎo)體在過(guò)去經(jīng)歷了三代變化。砷化鎵(Ga As)和氮化鎵(Ga N)半導(dǎo)體分別作為第二代和第三代半導(dǎo)體的代表,相比第一代半導(dǎo)體硅(Si)價(jià)格更加昂貴

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3 徐凱宇;唐s，

本文編號(hào)：764479