本文關(guān)鍵詞：2017年射頻GaN市場(chǎng)打響未來(lái)器件之戰(zhàn)哪項(xiàng)技術(shù)會(huì)出局

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【摘要】：正未來(lái)器件的戰(zhàn)爭(zhēng)將會(huì)在GaN/SiC或者是GaN/Si之間打響。今年的GaN(氮化鎵)器件市場(chǎng)異常活躍,GaN逐漸成為主流,開始滲透一些批量需求的商業(yè)市場(chǎng)。GaN已經(jīng)在大部分高功率軍事應(yīng)用中站穩(wěn)了腳跟,并且還抓住了有線電視、移動(dòng)基礎(chǔ)設(shè)施的部分市場(chǎng)。雖然LDMOS(橫向擴(kuò)散MOS晶體管)目前仍占據(jù)基礎(chǔ)設(shè)施和工業(yè)市場(chǎng)的絕大部分份額,但這種情況可能很快就會(huì)改變,因?yàn)镚aN性能與LDMOS基本相當(dāng)甚至更勝一籌。也許LDMOS現(xiàn)在的唯一優(yōu)勢(shì)
【關(guān)鍵詞】： GaN;橫向擴(kuò)散;工業(yè)市場(chǎng);氮化鎵;基礎(chǔ)設(shè)施;軍事應(yīng)用;可靠性測(cè)試;制造廠商;可靠性標(biāo)準(zhǔn);高功率放大器;
【分類號(hào)】：TN303
【正文快照】： 未來(lái)器件的戰(zhàn)爭(zhēng)將會(huì)在GaN/SiC或者是GaN/Si之間打響。今年的GaN(氮化鎵)器件市場(chǎng)異�；钴S,GaN逐漸成為主流,開始滲透一些批量需求的商業(yè)市場(chǎng)。GaN已經(jīng)在大部分高功率軍事應(yīng)用中站穩(wěn)了腳跟,并且還抓住了有線電視、移動(dòng)基礎(chǔ)設(shè)施的部分市場(chǎng)。雖然LDMOS(橫向擴(kuò)散MOS晶體管)目前仍

【相似文獻(xiàn)】

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本文編號(hào)：1125434