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661. 基于GaN的Ka波段功率放大器設(shè)計及熱分析
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662. 初始應(yīng)力對垂直結(jié)構(gòu)GaN基LED光電性能影響的研究
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663. SiC襯底GaN基材料MOCVD生長及HEMT器件研制
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664. 片上傳輸線模型與GaN HEMT小信號模型研究
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665. AlGaN緩沖層結(jié)構(gòu)對Si基GaN材料性能的影響
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666. 單體增強(qiáng)型GaN驅(qū)動電路設(shè)計及穩(wěn)定性研究
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667. GaN基LED歐姆接觸的第一性原理研究與設(shè)計
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668. GaN基和ZnTe半導(dǎo)體材料的制備和光學(xué)特性研究
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669. AlGaN/GaN肖特基勢壘二極管工藝制備與結(jié)構(gòu)優(yōu)化
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670. AlGaN/GaN/AlGaN雙異質(zhì)結(jié)HEMT器件及特性研究
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