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631. 準備層及量子阱區(qū)生長條件對Si襯底GaN基LED性能影響的研究
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632. n-ZnO納米棒/p-GaN異質(zhì)結(jié)構(gòu)的界面調(diào)控及生長工藝優(yōu)化
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633. 加載功率與殼溫對AlGaN/GaN高速電子遷移率晶體管器件熱阻的影響
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634. 加載功率與殼溫對AlGaN/GaN高速電子遷移率晶體管器件熱阻的影響
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635. 基于GaN器件的LCL型APF及其在弱電網(wǎng)下穩(wěn)定性增強控制方法研究
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636. 刻蝕AlN緩沖層對硅襯底N極性n-GaN表面粗化的影響
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637. 襯底切偏角和p型歐姆接觸對Si襯底GaN基LED性能穩(wěn)定性的影響
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638. GaN基p-i-n和肖特基紫外探測器的響應(yīng)光譜及暗電流特性
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639. Scalable Multi-harmonic Large-Signal Model for AlGaN/GaN HEM
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640. 點缺陷對極性ZnO：La/Y表面和GaN/ZnO界面磁光性能的影響
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