結(jié)溫是制約器件性能和可靠性的關(guān)鍵因素,通常利用熱阻計算器件的工作結(jié)溫.然而,器件的熱阻并不是固定值,它隨器件的施加功率、溫度環(huán)境等工作條件的改變而變化.針對該問題,本文以CREE公司生產(chǎn)的高速電子遷移率晶體管（HEMT）器件為研究對象,利用紅外熱像測溫法與Sentaurus TCAD模擬法相結(jié)合,測量研究了AlGaN/GaN HEMT器件在不同加載功率以及管殼溫度下熱阻的變化規(guī)律.研究發(fā)現(xiàn):當(dāng)器件殼溫由80°C升高至130°C時,其熱阻由5.9°C/W變化為6.8°C/W,增大15%,其熱阻與結(jié)溫呈正反饋效應(yīng);當(dāng)器件的加載功率從2.8 W增加至14 W時,其熱阻從5.3°C/W變化為6.5°C/W,增大22%.對其熱阻變化機(jī)理的研究發(fā)現(xiàn):在不同的管殼溫度以及不同的加載功率條件下,由于材料導(dǎo)熱系數(shù)的變化導(dǎo)致其熱阻隨溫度與加載功率的變化而變化. 

【文章來源】：物理學(xué)報. 2016,65(07)北大核心EISCICSCD

【文章頁數(shù)】：6 頁

【參考文獻(xiàn)】：
期刊論文
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本文編號：3386070