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51. 超結(jié)MOSFET的單粒子輻射效應(yīng)與加固研究
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52. 打破硅極限新型功率MOSFET設(shè)計(jì)及關(guān)鍵技術(shù)
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53. 基于SiC MOSFET的納秒級(jí)脈沖電源研制
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54. SiC MOSFET串?dāng)_及高頻振蕩抑制研究
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55. SiC MOSFET功率器件模型研究及仿真應(yīng)用
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56. SiC MOSFET器件設(shè)計(jì)與可靠性研究
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57. 基于電場(chǎng)調(diào)制理論的納米MOSFET新結(jié)構(gòu)研究
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58. 基于模型的SiC功率MOSFET溫升估計(jì)研究
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59. 基于特征辨識(shí)的MOSFET健康狀態(tài)評(píng)估模型研究
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60. 基于特征辨識(shí)的MOSFET健康狀態(tài)評(píng)估模型研究
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