功率器件是電力電子技術(shù)的重要組成部分,在工業(yè)應(yīng)用和輸配電系統(tǒng)中有著舉足輕重的地位。對工業(yè)自動化提出更高要求的同時,基于硅材料的功率器件在變頻器的應(yīng)用中已沒有了進一步提高的空間,但碳化硅材料的出現(xiàn)打破了這一技術(shù)瓶頸。國內(nèi)外學(xué)者紛紛表示SiC MOSFET將取代Si IGBT成為新一代功率器件。本文研究內(nèi)容如下:首先綜述了功率器件的發(fā)展以及SiC MOSFET工程和學(xué)術(shù)背景,歸納總結(jié)了國內(nèi)外關(guān)于SiC MOSFET在應(yīng)用方面的研究現(xiàn)狀。其次對功率MOSFET做簡要介紹,闡述SiC MOSFET相關(guān)特性。著重介紹SiC MOSFET的開關(guān)行為模型,對于不同階段功率器件導(dǎo)通和關(guān)斷過程,繪制等效電路圖,建立了數(shù)學(xué)方程。然后提出SiC MOSFET橋臂串擾的問題和抑制方法。通過理論分析及仿真實驗兩種方式的結(jié)合闡述了串擾產(chǎn)生的原理。介紹了多種抑制串擾的驅(qū)動電路設(shè)計方法,并基于有源串擾抑制方法,使用一種改進的柵極驅(qū)動電路。分析新型驅(qū)動電路的工作原理,給出設(shè)計參數(shù)。介紹仿真軟件和實驗平臺,為驅(qū)動電路的設(shè)計提供分析方法和實驗支撐,并通過雙脈沖測試實驗驗證了該驅(qū)動電路串擾抑制的有效性。最后提出一種新型的諧振... 

【文章來源】：中國礦業(yè)大學(xué)江蘇省 211工程院校 教育部直屬院校

【文章頁數(shù)】：83 頁

【學(xué)位級別】：碩士

【部分圖文】：

SiC模塊電容電壓特性仿真電路

【參考文獻】：
期刊論文
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博士論文
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碩士論文
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本文編號：3099688