SiC MOSFET串?dāng)_及高頻振蕩抑制研究
發(fā)布時(shí)間:2021-03-25 12:33
功率器件是電力電子技術(shù)的重要組成部分,在工業(yè)應(yīng)用和輸配電系統(tǒng)中有著舉足輕重的地位。對(duì)工業(yè)自動(dòng)化提出更高要求的同時(shí),基于硅材料的功率器件在變頻器的應(yīng)用中已沒(méi)有了進(jìn)一步提高的空間,但碳化硅材料的出現(xiàn)打破了這一技術(shù)瓶頸。國(guó)內(nèi)外學(xué)者紛紛表示SiC MOSFET將取代Si IGBT成為新一代功率器件。本文研究?jī)?nèi)容如下:首先綜述了功率器件的發(fā)展以及SiC MOSFET工程和學(xué)術(shù)背景,歸納總結(jié)了國(guó)內(nèi)外關(guān)于SiC MOSFET在應(yīng)用方面的研究現(xiàn)狀。其次對(duì)功率MOSFET做簡(jiǎn)要介紹,闡述SiC MOSFET相關(guān)特性。著重介紹SiC MOSFET的開關(guān)行為模型,對(duì)于不同階段功率器件導(dǎo)通和關(guān)斷過(guò)程,繪制等效電路圖,建立了數(shù)學(xué)方程。然后提出SiC MOSFET橋臂串?dāng)_的問(wèn)題和抑制方法。通過(guò)理論分析及仿真實(shí)驗(yàn)兩種方式的結(jié)合闡述了串?dāng)_產(chǎn)生的原理。介紹了多種抑制串?dāng)_的驅(qū)動(dòng)電路設(shè)計(jì)方法,并基于有源串?dāng)_抑制方法,使用一種改進(jìn)的柵極驅(qū)動(dòng)電路。分析新型驅(qū)動(dòng)電路的工作原理,給出設(shè)計(jì)參數(shù)。介紹仿真軟件和實(shí)驗(yàn)平臺(tái),為驅(qū)動(dòng)電路的設(shè)計(jì)提供分析方法和實(shí)驗(yàn)支撐,并通過(guò)雙脈沖測(cè)試實(shí)驗(yàn)驗(yàn)證了該驅(qū)動(dòng)電路串?dāng)_抑制的有效性。最后提出一種新型的諧振...
【文章來(lái)源】:中國(guó)礦業(yè)大學(xué)江蘇省 211工程院校 教育部直屬院校
【文章頁(yè)數(shù)】:83 頁(yè)
【學(xué)位級(jí)別】:碩士
【部分圖文】:
SiC模塊電容電壓特性仿真電路
【參考文獻(xiàn)】:
期刊論文
[1]抑制SiC MOSFET串?dāng)_的柵極驅(qū)動(dòng)電路設(shè)計(jì)[J]. 劉暢,伍思凱,何鳳有. 電力電子技術(shù). 2019(09)
[2]抑制瞬態(tài)電壓電流尖峰和振蕩的電流注入型SiC MOSFET有源驅(qū)動(dòng)方法研究[J]. 馮超,李虹,蔣艷鋒,趙星冉,楊志昌. 中國(guó)電機(jī)工程學(xué)報(bào). 2019(19)
[3]一種適用于SiC基變換器的橋臂串?dāng)_抑制方法[J]. 秦海鴻,朱梓悅,王丹,謝昊天,徐華娟. 南京航空航天大學(xué)學(xué)報(bào). 2017(06)
[4]橋式電路中不同封裝SiC MOSFET串?dāng)_問(wèn)題分析及低柵極關(guān)斷阻抗的驅(qū)動(dòng)電路[J]. 梁美,李艷,鄭瓊林,趙紅雁. 電工技術(shù)學(xué)報(bào). 2017(18)
[5]驅(qū)動(dòng)回路參數(shù)對(duì)碳化硅MOSFET開關(guān)瞬態(tài)過(guò)程的影響[J]. 王旭東,朱義誠(chéng),趙爭(zhēng)鳴,陳凱楠. 電工技術(shù)學(xué)報(bào). 2017(13)
[6]SiC器件在光伏逆變器中的應(yīng)用與挑戰(zhàn)[J]. 曾正,邵偉華,胡博容,陳昊,廖興林,陳文鎖,李輝,冉立. 中國(guó)電機(jī)工程學(xué)報(bào). 2017(01)
[7]SiC功率器件在并網(wǎng)光伏逆變器中的應(yīng)用研究[J]. 謝敬仁,洪小聰,黃樹焜,彭勇殿,常桂欽. 大功率變流技術(shù). 2016(05)
[8]電力電子器件及其應(yīng)用的現(xiàn)狀和發(fā)展[J]. 錢照明,張軍明,盛況. 中國(guó)電機(jī)工程學(xué)報(bào). 2014(29)
[9]新型寬帶SiC功率器件在電力電子中的應(yīng)用[J]. 王莉,朱萍. 南京航空航天大學(xué)學(xué)報(bào). 2014(04)
[10]寬禁帶碳化硅功率器件在電動(dòng)汽車中的研究與應(yīng)用[J]. 王學(xué)梅. 中國(guó)電機(jī)工程學(xué)報(bào). 2014(03)
博士論文
[1]PCB空心線圈電子式電流互感器的理論建模及設(shè)計(jì)實(shí)現(xiàn)[D]. 王程遠(yuǎn).華中科技大學(xué) 2008
碩士論文
[1]SiC MOSFET保護(hù)技術(shù)及振蕩問(wèn)題研究[D]. 李志堅(jiān).北京交通大學(xué) 2018
[2]SiC MOSFET開關(guān)行為及故障診斷研究[D]. 張經(jīng)緯.中國(guó)礦業(yè)大學(xué) 2018
[3]SiC MOSFET驅(qū)動(dòng)電路及開關(guān)過(guò)程振蕩問(wèn)題研究[D]. 武晶晶.北京交通大學(xué) 2018
[4]碳化硅MOSFET的特性研究[D]. 江芙蓉.浙江大學(xué) 2017
[5]碳化硅MOSFET驅(qū)動(dòng)技術(shù)研究[D]. 周琦.山東大學(xué) 2016
[6]1.2kV SiC MOSFET器件設(shè)計(jì)及可靠性研究[D]. 黃宇.東南大學(xué) 2015
本文編號(hào):3099688
【文章來(lái)源】:中國(guó)礦業(yè)大學(xué)江蘇省 211工程院校 教育部直屬院校
【文章頁(yè)數(shù)】:83 頁(yè)
【學(xué)位級(jí)別】:碩士
【部分圖文】:
SiC模塊電容電壓特性仿真電路
【參考文獻(xiàn)】:
期刊論文
[1]抑制SiC MOSFET串?dāng)_的柵極驅(qū)動(dòng)電路設(shè)計(jì)[J]. 劉暢,伍思凱,何鳳有. 電力電子技術(shù). 2019(09)
[2]抑制瞬態(tài)電壓電流尖峰和振蕩的電流注入型SiC MOSFET有源驅(qū)動(dòng)方法研究[J]. 馮超,李虹,蔣艷鋒,趙星冉,楊志昌. 中國(guó)電機(jī)工程學(xué)報(bào). 2019(19)
[3]一種適用于SiC基變換器的橋臂串?dāng)_抑制方法[J]. 秦海鴻,朱梓悅,王丹,謝昊天,徐華娟. 南京航空航天大學(xué)學(xué)報(bào). 2017(06)
[4]橋式電路中不同封裝SiC MOSFET串?dāng)_問(wèn)題分析及低柵極關(guān)斷阻抗的驅(qū)動(dòng)電路[J]. 梁美,李艷,鄭瓊林,趙紅雁. 電工技術(shù)學(xué)報(bào). 2017(18)
[5]驅(qū)動(dòng)回路參數(shù)對(duì)碳化硅MOSFET開關(guān)瞬態(tài)過(guò)程的影響[J]. 王旭東,朱義誠(chéng),趙爭(zhēng)鳴,陳凱楠. 電工技術(shù)學(xué)報(bào). 2017(13)
[6]SiC器件在光伏逆變器中的應(yīng)用與挑戰(zhàn)[J]. 曾正,邵偉華,胡博容,陳昊,廖興林,陳文鎖,李輝,冉立. 中國(guó)電機(jī)工程學(xué)報(bào). 2017(01)
[7]SiC功率器件在并網(wǎng)光伏逆變器中的應(yīng)用研究[J]. 謝敬仁,洪小聰,黃樹焜,彭勇殿,常桂欽. 大功率變流技術(shù). 2016(05)
[8]電力電子器件及其應(yīng)用的現(xiàn)狀和發(fā)展[J]. 錢照明,張軍明,盛況. 中國(guó)電機(jī)工程學(xué)報(bào). 2014(29)
[9]新型寬帶SiC功率器件在電力電子中的應(yīng)用[J]. 王莉,朱萍. 南京航空航天大學(xué)學(xué)報(bào). 2014(04)
[10]寬禁帶碳化硅功率器件在電動(dòng)汽車中的研究與應(yīng)用[J]. 王學(xué)梅. 中國(guó)電機(jī)工程學(xué)報(bào). 2014(03)
博士論文
[1]PCB空心線圈電子式電流互感器的理論建模及設(shè)計(jì)實(shí)現(xiàn)[D]. 王程遠(yuǎn).華中科技大學(xué) 2008
碩士論文
[1]SiC MOSFET保護(hù)技術(shù)及振蕩問(wèn)題研究[D]. 李志堅(jiān).北京交通大學(xué) 2018
[2]SiC MOSFET開關(guān)行為及故障診斷研究[D]. 張經(jīng)緯.中國(guó)礦業(yè)大學(xué) 2018
[3]SiC MOSFET驅(qū)動(dòng)電路及開關(guān)過(guò)程振蕩問(wèn)題研究[D]. 武晶晶.北京交通大學(xué) 2018
[4]碳化硅MOSFET的特性研究[D]. 江芙蓉.浙江大學(xué) 2017
[5]碳化硅MOSFET驅(qū)動(dòng)技術(shù)研究[D]. 周琦.山東大學(xué) 2016
[6]1.2kV SiC MOSFET器件設(shè)計(jì)及可靠性研究[D]. 黃宇.東南大學(xué) 2015
本文編號(hào):3099688
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