功率半導(dǎo)體器件作為高效率電能轉(zhuǎn)換的核心器件,是節(jié)能減排的基礎(chǔ)關(guān)鍵技術(shù)。在全球綠色能源產(chǎn)業(yè)發(fā)展推動(dòng)下,新能源汽車(chē)、智能家電、軍工產(chǎn)品等市場(chǎng)領(lǐng)域?qū)Ω咝阅芄β势骷枨蟪掷m(xù)增加。雖然不同應(yīng)用領(lǐng)域?qū)β拾雽?dǎo)體技術(shù)的要求有所不同,但從其發(fā)展趨勢(shì)來(lái)看,功率半導(dǎo)體技術(shù)發(fā)展的目標(biāo)始終是為了提高電能轉(zhuǎn)換效率、增加系統(tǒng)功能、并減小系統(tǒng)體積。本文主要圍繞著提升功率器件耐壓,降低器件導(dǎo)通損耗為目標(biāo)。開(kāi)展新型功率MOSFET（Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor,簡(jiǎn)稱(chēng)MOSFET）器件設(shè)計(jì),器件仿真優(yōu)化,器件建模分析和器件流片測(cè)試等一系列工作。通過(guò)采用新結(jié)構(gòu)、新材料、新工藝等技術(shù)來(lái)提升功率MOSFET的性能,優(yōu)化擊穿電壓（Breakdown Voltage,簡(jiǎn)稱(chēng)BV）和比導(dǎo)通電阻(Specific On Resistance,簡(jiǎn)稱(chēng)R_ON,sp)之間的矛盾關(guān)系,打破傳統(tǒng)功率MOSFET或超結(jié)（Superjunction,簡(jiǎn)稱(chēng)SJ）MOSFET的硅極限關(guān)系。掌握具有自主知識(shí)產(chǎn)權(quán)的高性能、低功耗新型功率半導(dǎo)體器件的關(guān)鍵技術(shù)。本文利用電場(chǎng)... 

【文章來(lái)源】：西安電子科技大學(xué)陜西省 211工程院校 教育部直屬院校

【文章頁(yè)數(shù)】：193 頁(yè)

【學(xué)位級(jí)別】：博士

【部分圖文】：

溝槽刻蝕

生長(zhǎng)氧化層

淀積 Material po淀積厚度 thickness 180nm圖5.13 淀積多晶硅（4）刻蝕多晶硅及氧化層通過(guò) DIOS 工具，在刻蝕多晶硅及氧化層工藝仿真過(guò)程中，在輸入相關(guān)命令的部分對(duì)關(guān)鍵參數(shù)設(shè)定如表 5.5。DIOS 工具工藝仿真獲得刻蝕后溝槽的效果如圖 5.14

【參考文獻(xiàn)】：
期刊論文
[1]具有半絕緣多晶硅完全三維超結(jié)橫向功率器件[J]. 曹震,段寶興,袁小寧,楊銀堂.  物理學(xué)報(bào). 2015(18)
[2]新型緩沖層分區(qū)電場(chǎng)調(diào)制橫向雙擴(kuò)散超結(jié)功率器件[J]. 段寶興,曹震,袁嵩,袁小寧,楊銀堂.  物理學(xué)報(bào). 2014(24)
[3]橫向超結(jié)器件襯底輔助耗盡效應(yīng)的研究與展望[J]. 黃示,郭宇鋒,姚佳飛,夏曉娟,徐躍,張瑛.  微電子學(xué). 2013(04)
[4]功率半導(dǎo)體器件與功率集成技術(shù)的發(fā)展現(xiàn)狀及展望[J]. 孫偉鋒,張波,肖勝安,蘇巍,成建兵.  中國(guó)科學(xué):信息科學(xué). 2012(12)
[5]節(jié)能減排的基礎(chǔ)技術(shù)-功率半導(dǎo)體芯片[J]. 張波.  中國(guó)集成電路. 2009(12)
[6]具有超低導(dǎo)通電阻階梯槽型氧化邊VDMOS新結(jié)構(gòu)（英文）[J]. 段寶興,楊銀堂,張波,李肇基.  半導(dǎo)體學(xué)報(bào). 2008(04)

博士論文
[1]橫向高壓器件電場(chǎng)調(diào)制效應(yīng)及新器件研究[D]. 段寶興.電子科技大學(xué) 2007

碩士論文
[1]基于電場(chǎng)調(diào)制的新型橫向超結(jié)功率器件[D]. 曹震.西安電子科技大學(xué) 2015



本文編號(hào)：2973670