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51. 串聯(lián)SiC MOSFET驅(qū)動(dòng)研究
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52. SiC材料缺陷誘導(dǎo)磁性研究
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53. Ge/SiC界面態(tài)分析
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54. 4H-SiC MOSFETs SiC-SiO 2 界面附近陷阱俘獲和1/f噪聲相關(guān)性研究
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55. 固溶溫度及SiC含量對(duì)粉末冶金SiC/Al-Mg基復(fù)合材料組織與性能的影響
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56. 先驅(qū)體浸漬-裂解SiC界面改性涂層對(duì)氣相滲硅3D-C f /SiC復(fù)合材料力學(xué)性能的影響
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57. SiC晶片加工技術(shù)現(xiàn)狀與趨勢(shì)
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58. 微波合成SiC晶體的工藝研究
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59. 微波熔鹽法制備SiC改性石墨
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60. SiC功率MOSFET器件研制進(jìn)展
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