微波合成SiC晶體的工藝研究
本文關鍵詞:微波合成SiC晶體的工藝研究
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【摘要】:微波作為一種新型和環(huán)境友好型的加熱方式,其節(jié)能高效、清潔環(huán)保的加熱特點備受國內(nèi)外學者的廣泛關注。微波加熱技術制備SiC晶體已成為研究熱點之一,但目前的研究仍然停留在實驗條件的不同,對微波加熱機理、SiC晶體生長動力學缺乏相關研究。本課題以SiO2為硅源,分別采用煤炭和水熱碳球為碳源,研究了微波加熱工藝對SiC晶體形成的影響規(guī)律;結(jié)合不同煤炭顆粒尺寸分布,研究了微波加熱過程中的熱效應變化機理,揭示SiC晶體的生長動力學過程。研究結(jié)果表明:以天然煤炭和水熱碳球為碳源,在微波加熱溫度分別為1100℃、1200℃、1300℃和1400℃、保溫10min,獲得SiC晶體。以天然煤炭(尺寸200μm)為碳源,在不同溫度下均制備出SiC晶須,當加熱溫度為1200℃,獲得的SiC晶須數(shù)量最多;而以水熱碳球(1~1.5μm)為碳源,僅在1100℃獲得較多的SiC晶須。不同尺寸煤炭顆粒同樣影響Si C的晶體形貌:以大顆粒煤炭為碳源,SiC的放射性空間生長晶體被獲得,其生長動力為煤炭的本征耦合熱效應。以中顆粒煤炭為碳源,加熱溫度為1100℃,保溫時間為10min,獲得的Si C晶體形貌以晶須為主,晶須生長沿111晶向,符合V-S生長機理;以小顆粒煤炭為碳源,加熱溫度1100℃~1500℃,僅僅獲得Si C顆粒,當加熱溫度為1700℃,產(chǎn)生等離子體,顆粒尺寸細化。結(jié)合輸入功率、反射功率和溫度的變化關系,研究發(fā)現(xiàn):微波加熱前期,煤炭顆粒的本征耦合熱效應提供熱量,溫度升高;隨著加熱時間的延長,煤炭的本征耦合熱效應強度逐漸減弱,SiC晶體的二次耦合熱效應強度逐漸升高;不同尺寸的煤炭顆粒耦合熱效應不同,耦合熱效應最佳的煤炭顆粒尺寸為125~200μm。
【學位授予單位】:鄭州大學
【學位級別】:碩士
【學位授予年份】:2016
【分類號】:TQ127.2
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1 徐立紅,董允,張洪波,賈艷琴;SiC粒徑對PTFE/SiCp復合材料耐磨性能的影響[J];河北工業(yè)大學學報;2003年01期
2 權高峰;SiC 顆粒增強鎂基復合材料的研究[J];西安交通大學學報;1997年06期
3 柴劍玲;SiC表面形成的氧化膜的熱穩(wěn)定性[J];耐火材料;2003年01期
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6 王玉霞,何海平,湯洪高;寬帶隙半導體材料SiC研究進展及其應用[J];硅酸鹽學報;2002年03期
7 郝旭升;世界SiC產(chǎn)量分布[J];耐火材料;1999年06期
8 張宏遠;;陶瓷(SiC)模具在拉拔加工中的應用[J];湖南冶金;1988年01期
9 ;高壓鑄造法生產(chǎn)SiC晶須增強的鋁合金基復合材料[J];金屬功能材料;1996年05期
10 隋賢棟,羅承萍,駱灼旋,歐陽柳章;SiC顆粒增強Al-Si復合材料中的SiC及其界面[J];電子顯微學報;2000年01期
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1 湯洪高;;寬帶隙半導體材料SiC研究進展及其應用[A];中國硅酸鹽學會2003年學術年會論文摘要集[C];2003年
2 潘宏菽;楊霏;霍玉柱;商慶杰;李亞麗;周瑞;;Si與SiC微波功率器件的比較[A];2010’全國半導體器件技術研討會論文集[C];2010年
3 吳東棣;王正東;R.克勞斯;莊子哲;;Si/SiC先進陶瓷材料缺口蠕變損傷的試驗研究[A];第四屆全國壓力容器學術會議論文集[C];1997年
4 鮑慧強;彭同華;劉春俊;王波;李龍遠;張賀;張瑋;王錫銘;陳小龍;;天科合達實現(xiàn)高質(zhì)量SiC晶體的產(chǎn)業(yè)化生產(chǎn)[A];第15屆全國晶體生長與材料學術會議論文集[C];2009年
5 楊曉云;吳玉琨;葉恒強;;球磨Si_(50)C_(50)混合粉末合成SiC的高分辨電鏡觀察[A];第十一次全國電子顯微學會議論文集[C];2000年
6 李冬云;楊輝;喬冠軍;金志浩;;紙制備SiC/Si層狀陶瓷復合材料的微觀結(jié)構和性能[A];中國硅酸鹽學會陶瓷分會2005學術年會論文專輯[C];2005年
7 楊林;劉兵;邵友林;梁彤祥;唐春和;;凸臺形包覆燃料顆粒SiC層破損率的理論計算及分析[A];中國核科學技術進展報告——中國核學會2009年學術年會論文集(第一卷·第4冊)[C];2009年
8 吳清仁;吳建青;文壁璇;;等靜壓SiC換熱器管材的熱物理分析[A];94'全國結(jié)構陶瓷、功能陶瓷、金屬/陶瓷封接學術會議論文集[C];1994年
9 伍翠蘭;廖小舟;陳江華;;具有Y型連接對稱SiC雙納米線的形成機理[A];第七屆中國功能材料及其應用學術會議論文集(第7分冊)[C];2010年
10 朱麗娜;楊慧;彭同華;倪代秦;胡伯清;陳小龍;;SiC晶體多型界面處的微結(jié)構分析[A];第14屆全國晶體生長與材料學術會議論文集[C];2006年
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1 萬林;加快我國SiC功率器件研發(fā)與商用步伐[N];中國電子報;2012年
2 吳宏鵬;逆反應燒結(jié)工藝制備Si_(3)N_(4)-SiC復合耐火材料[N];世界金屬導報;2007年
3 記者 趙秋麗邋特約記者 李志臣 通訊員 欒維東;山東大學大直徑SiC單晶研究獲突破[N];光明日報;2007年
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1 齊曉霞;SiC納米陣列和異質(zhì)結(jié)構的調(diào)控生長、形成機理及性能研究[D];太原理工大學;2016年
2 王靜;3C-SiC、Si量子點和硅基全色可調(diào)諧的固體薄膜[D];南京大學;2012年
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5 張洋;超聲波作用下SiC與Zn-Al連接界面行為及焊縫強化機理[D];哈爾濱工業(yè)大學;2009年
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1 張峰浩;AlCuFe準晶的制備及其與SiC分別增強ZL101的研究[D];中北大學;2016年
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7 盛百城;第一性原理方法研究空位缺陷Si與SiC的結(jié)構與導電性[D];北京化工大學;2011年
8 趙淑貞;SiC單晶的表面清洗和化學蝕刻研究[D];哈爾濱工業(yè)大學;2013年
9 王利庭;激光作用下SiC晶須生長條件的研究[D];南京航空航天大學;2008年
10 張波;重力環(huán)境中Zr基合金與SiC及W之間的潤濕性和界面反應[D];沈陽理工大學;2009年
,本文編號:1246461
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