本文關(guān)鍵詞：SiC晶片加工技術(shù)現(xiàn)狀與趨勢

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【摘要】：SiC單晶材料作為第三代半導(dǎo)體襯底材料,在制作高頻、大功率電子器件等領(lǐng)域有著廣泛的應(yīng)用前景,而SiC加工技術(shù)對制作襯底材料起到?jīng)Q定作用。介紹了SiC國內(nèi)外加工技術(shù)的研究現(xiàn)狀,分析和對比了切割、研磨、拋光加工工藝的機理及晶片平整度、粗糙度的變化趨勢,并指出SiC單晶片加工過程中存在的問題和未來的發(fā)展趨勢。
【作者單位】： 中國電子科技集團公司第二研究所;
【關(guān)鍵詞】： SiC晶片 加工技術(shù) 平整度 粗糙度
【基金】：國家自然科學(xué)基金項目(61404117) 國家高技術(shù)研究發(fā)展計劃863重大專項資助項目(2014AA041401) 山西省自然科學(xué)基金(2014011016-8)
【分類號】：TN304.24
【正文快照】： 寬禁帶半導(dǎo)體材料碳化硅Si C單晶因其優(yōu)異的性能在制作抗輻射、高頻、大功率和高密度集成電子器件等方面得到了廣泛的應(yīng)用,發(fā)展Si C器件成為電子產(chǎn)業(yè)發(fā)展的趨勢,現(xiàn)己成為國際關(guān)注的焦點。目前,Si C器件的發(fā)展已經(jīng)取得一定成效,但高質(zhì)量Si C襯底的產(chǎn)量一直很低,主要受Si C單晶

【相似文獻】

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1 周慧;;日本出售SiC肖特基勢壘二極管[J];半導(dǎo)體信息;2004年01期

2 王玉霞,何海平,湯洪高;寬帶隙半導(dǎo)體材料SiC研究進展及其應(yīng)用[J];硅酸鹽學(xué)報;2002年03期

3 楊霏;閆銳;陳昊;張有潤;彭明明;商慶杰;李亞麗;張雄文;潘宏菽;楊克武;蔡樹軍;;SiC肖特基勢壘二極管的反向特性[J];微納電子技術(shù);2010年01期

4 徐軍,謝家純,董小波,王克彥,李W，

本文編號：636822