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51. 針對(duì)緩沖層改進(jìn)的4H-SiC MESFETs新結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)與仿真
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52. 4H-SiC PIN型日盲紫外探測(cè)器的研究及制備
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53. 4H-SiC結(jié)勢(shì)壘肖特基二極管制備及常溫離子注入研究
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54. 超高壓4H-SiC PiN二極管的設(shè)計(jì)及其特性研究
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55. 半絕緣4H-SiC光激發(fā)載流子濃度的Raman光譜研究
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56. 高功率4H-SiC JBS/SBD器件可靠性問題研究
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57. 功率器件用n/p型4H-SiC同時(shí)形成歐姆接觸工藝
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58. 抑制4H-SiC功率器件雙極型退化的復(fù)合提高層設(shè)計(jì)
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59. 高壓4H-SiC JBS功率整流器的設(shè)計(jì)優(yōu)化與實(shí)驗(yàn)驗(yàn)證
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60. 晶圓各向異性對(duì)4H-SiC基VDMOSFET單粒子效應(yīng)的影響
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