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551. 第三代半導(dǎo)體材料
Si
C
晶體生長設(shè)備技術(shù)及進(jìn)展
552. 納米
Si
C
對高頻脈沖電沉積Ni鍍層性能的影響
553. 電鑄
C
u-
Si
C
復(fù)合電極的制備及實驗研究
554.
Si
C
低維納米材料表面修飾及其場發(fā)射性能研究
555. 連續(xù)
Si
C
纖維增強(qiáng)鈦基復(fù)合材料界面反應(yīng)研究
556. 碳化硅半導(dǎo)體
Si
C
在功率器件領(lǐng)域的應(yīng)用
557. 鎂合金激光沖擊植入納米
Si
C
顆粒工藝與性能研究
558. 基于
Si
C
MOSFET的高壓輸入LL
C
變換器研究
559. 不同分散劑對
Si
C
泡沫陶瓷水基漿料性能的影響
560.
Si
C
單晶線鋸切片微裂紋損傷深度的有限元分析
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