本文關(guān)鍵詞：第三代半導(dǎo)體材料SiC晶體生長設(shè)備技術(shù)及進(jìn)展

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【摘要】：第三代半導(dǎo)體設(shè)備技術(shù)是第三代半導(dǎo)體技術(shù)發(fā)展的重要支撐和基礎(chǔ)。簡要介紹了以SiC為代表的第三代半導(dǎo)體材料,重點(diǎn)介紹了SiC晶體生長方法,SiC晶體生長設(shè)備基本構(gòu)成,設(shè)備技術(shù)國內(nèi)外進(jìn)展情況,最后指出了將設(shè)備研發(fā)和生長工藝相結(jié)合研制出更加成熟的SiC晶體生長設(shè)備的重要性。
【作者單位】： 廣東省機(jī)械研究所;
【關(guān)鍵詞】： 第三代半導(dǎo)體 SiC晶體 SiC晶體生長設(shè)備 SiC晶體生長工藝
【基金】：廣東省科技計(jì)劃資助項(xiàng)目(編號(hào):2014B070706031)
【分類號(hào)】：TN304.24
【正文快照】： 半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的發(fā)展先后經(jīng)歷了以硅(Si)為代表的第一代半導(dǎo)體材料,以砷化鎵(Ga As)為代表的第二代半導(dǎo)體材料,以碳化硅(Si C)和氮化鎵(Ga N)為代表的第三代半導(dǎo)體材料[1]。相比第一、二代半導(dǎo)體材料,碳化硅(Si C)晶體材料具有禁帶寬度大、擊穿電場高、熱導(dǎo)率高、電子飽和速率高

【相似文獻(xiàn)】

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本文編號(hào)：529231