本文關(guān)鍵詞：碳化硅半導(dǎo)體SiC在功率器件領(lǐng)域的應(yīng)用

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【摘要】：以碳和硅組成的化合物半導(dǎo)體碳化硅(Silicon Carbide)為材料制作的功率半導(dǎo)體器件,因其所具備的優(yōu)異性能與先進(jìn)性,多年來備受矚目,已逐步滲透到生活中。本文分析了SiC肖特基二極管、SiC MOSFET、SiC功率模塊,以及SiC的擴(kuò)展產(chǎn)品IGBT和IPM的器件特性。
【關(guān)鍵詞】： 半導(dǎo)體材料 碳化硅半導(dǎo)體SiC 功率器件
【分類號】：TN304.24
【正文快照】： 半導(dǎo)體制造商ROHM利用多年來在消費電子領(lǐng)域積累的技術(shù)優(yōu)勢,正在積極推進(jìn)面向工業(yè)設(shè)備領(lǐng)域的產(chǎn)品陣容擴(kuò)充。在支撐“節(jié)能、創(chuàng)能、蓄能”技術(shù)的半導(dǎo)體功率元器件領(lǐng)域,ROHM實現(xiàn)了具有硅半導(dǎo)體無法得到的突破性特性的碳化硅半導(dǎo)體(Si C)的量產(chǎn)。另外,在傳統(tǒng)的硅半導(dǎo)體功率元器件

【相似文獻(xiàn)】

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本文編號：826323