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41. 高壓4H-SiC PiN二極管的結(jié)構(gòu)優(yōu)化與實(shí)驗(yàn)研究
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42. 陽(yáng)極氧化法制備4H-SiC納米陣列與結(jié)構(gòu)調(diào)控及其光電特性
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43. 1700V 4H-SiC DMOS晶體管的設(shè)計(jì)和實(shí)驗(yàn)研究
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44. 超高壓4H-SiC GTO晶閘管的結(jié)構(gòu)優(yōu)化設(shè)計(jì)
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45. 4H-SiC紫外單光子雪崩光電探測(cè)器的制備與表征
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46. 具有均勻肖特基勢(shì)壘的Ni基4H-SiC接觸的制備
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47. 4H-SiC溝槽MOS勢(shì)壘肖特基功率二極管模擬研究
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48. 超高壓4H-SiC JBS二極管設(shè)計(jì)和實(shí)驗(yàn)研究
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49. 高性能4H-SiC功率VDMOSFET器件設(shè)計(jì)及關(guān)鍵工藝研究
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50. 高質(zhì)量半絕緣φ150mm 4H-SiC單晶生長(zhǎng)研究
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