本文關(guān)鍵詞：高質(zhì)量半絕緣φ150mm 4H-SiC單晶生長研究

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【摘要】：采用數(shù)值模擬研究PVT法φ150 mm 4H-SiC單晶生長的功率、頻率選擇、坩堝位置及保溫厚度等關(guān)鍵生長參數(shù)。研究表明φ150 mm 4H-SiC單晶生長功率是2inch 4H-SiC生長功率的2倍,優(yōu)化的加熱頻率在5 k Hz以下,系統(tǒng)分析不同生長參數(shù)下生長腔內(nèi)徑向及軸向溫度梯度的變化規(guī)律。在此基礎(chǔ)上初步的進行了φ150 mm 4H-SiC單晶的生長工作,獲得了無裂紋、直徑完整的高質(zhì)量SiC襯底材料。拉曼光譜Mapping測量顯示φ150 mm SiC襯底全片無多型,均為4H-SiC晶型。X光搖擺曲線顯示半寬小于30 arcsec。采用摻雜過渡金屬V雜質(zhì),獲得了電阻率超過5×109Ω·cm的150 mm SiC襯底。
【作者單位】： 山東大學(xué)晶體材料國家重點實驗室;全球能源互聯(lián)網(wǎng)(山東)協(xié)同創(chuàng)新中心;中國礦業(yè)大學(xué);
【基金】：國家自然科學(xué)基金(61504075,61327808,11404393) 山東省自主創(chuàng)新及成果轉(zhuǎn)化專項(2014ZZCX04215)
【分類號】：TN304.24
【正文快照】： (Received 9 January 2016,accepted 11 March 2016)1引言碳化硅(4H-Si C)作為第三代半導(dǎo)體材料的代表,具有寬帶隙,高載流子飽和遷移率、高臨界擊穿電場等特點,被廣泛應(yīng)用于抗輻射、抗干擾、高頻大功率等器件的制備[1-3]。隨著生長技術(shù)的發(fā)展,Si C單晶的直徑從2inch擴展到150

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本文編號：1175644