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21. 3.3kV級(jí)4H-SiC MOSFET研究
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22. 帶偏角4H-SiC同質(zhì)外延生長(zhǎng)和拉曼散射研究
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23. 4H-SiC晶閘管電荷調(diào)制JTE的研究
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24. 新型高效超高柵4H-SiC MESFET設(shè)計(jì)技術(shù)研究
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25. 基于高阻4H-SiC單晶的PiN器件研制
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26. 具有新型柵結(jié)構(gòu)的4H-SiC MESFETs設(shè)計(jì)及仿真
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27. 基于SM-JTE結(jié)構(gòu)的4H-SiC器件
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28. 基于4H-SiC微結(jié)構(gòu)中子探測(cè)器的研究
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29. 電化學(xué)刻蝕4H-SiC納米陣列及其光電催化性能
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30. 4H-SiC MOSFET器件新結(jié)構(gòu)及反向恢復(fù)特性研究
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