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171. 基于X射線
C
T原位試驗(yàn)的平紋Si
C
/Si
C
復(fù)合材料拉伸損傷演化
172. Si
C
體積分?jǐn)?shù)和熱處理對Si
C
/2024Al復(fù)合材料性能的影響
173. 4H-Si
C
和6H-Si
C
功率VDMOSFET的單粒子燒毀效應(yīng)
174. 氮化硼納米管多級增強(qiáng)Si
C
f /Si
C
復(fù)合材料制備、結(jié)構(gòu)及性能研究
175. KD-II型Si
C
纖維增強(qiáng)Si
C
基復(fù)合材料性能調(diào)控及構(gòu)件制備
176. Si
C
顆粒-Si
C
晶須混雜填料/雙馬來酰亞胺樹脂導(dǎo)熱復(fù)合材料的制備與性能
177. 低濃度Si
C
粉體漿料的分散性和穩(wěn)定性研究及其對Si
C
膜性能的影響
178. 考慮界面層和孔隙的Si
C
f /Si
C
m 復(fù)合材料熱膨脹性能研究
179. Si
C
含量對激光熔覆Si
C
/Ni60A復(fù)合涂層顯微組織和耐磨性能的影響
180. 平紋布和斜紋布鋪層結(jié)構(gòu)對Si
C
f /Si
C
過濾材料性能的影響
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