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171. 基于PCB羅氏線圈的SiC MOSFET短路保護(hù)研究
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172. 多晶金剛石半導(dǎo)體材料及MOSFET器件研究
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173. 面向超低電壓射頻低噪聲設(shè)計(jì)的MOSFET表征方法
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174. 氫終端多晶金剛石MOSFET器件制備和特性研究
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175. 碳化硅MOSFET靜動(dòng)態(tài)特征參數(shù)溫控特性的研究
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176. 1700V碳化硅MOSFET器件和UIS特性研究
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177. 寬溫度范圍低開關(guān)損耗SiC MOSFET驅(qū)動(dòng)電路研究
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178. SiC MOSFET在加速器電源中的應(yīng)用
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179. 飽和區(qū)下納米MOSFET噪聲機(jī)理的分析與建模
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180. 3300V SiC MOSFET器件設(shè)計(jì)與新結(jié)構(gòu)研究
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