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SiC MOSFET在加速器電源中的應(yīng)用

發(fā)布時(shí)間:2021-04-12 17:17
  強(qiáng)流重離子加速器裝置(High Intensity Heavy-ion Accelerator Facility,HIAF)是由中國(guó)科學(xué)院近代物理研究所提出的“十二五”國(guó)家重大科學(xué)工程項(xiàng)目之一。加速器裝置的束流質(zhì)量與加速器電源性能密不可分,電流穩(wěn)定度、低電流紋波、高效率等指標(biāo)都將直接影響磁鐵磁場(chǎng)的各項(xiàng)指標(biāo),進(jìn)而影響加速器束流的性能指標(biāo)。功率開(kāi)關(guān)器件作為電源的核心器件之一,在電源輸出性能方面起到較大的影響作用。與硅(Silicon,Si)功率開(kāi)關(guān)器件相比,第三代半導(dǎo)體開(kāi)關(guān)器件碳化硅金屬-氧化物-半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管(Silicon Carbide Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor,SiC MOSFET)具有更高的禁帶寬度、更高的臨界擊穿場(chǎng)強(qiáng)、更小的電阻率以及更快的電子飽和漂移速度,能夠更好地適應(yīng)高溫、高壓、高頻率條件下的工作。設(shè)計(jì)功率等級(jí)相同的開(kāi)關(guān)電源,采用SiC MOSFET開(kāi)關(guān)器件能讓電源工作在更高的開(kāi)關(guān)頻率。開(kāi)關(guān)頻率的提升,不僅能夠有效地減小電路中變壓器與濾波電容電感的體積,提高功率密度,還能減小輸出電流紋波,提高電源... 

【文章來(lái)源】:中國(guó)科學(xué)院大學(xué)(中國(guó)科學(xué)院近代物理研究所)甘肅省

【文章頁(yè)數(shù)】:69 頁(yè)

【學(xué)位級(jí)別】:碩士

【部分圖文】:

SiC MOSFET在加速器電源中的應(yīng)用


SIC1182K驅(qū)動(dòng)芯片圖

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第2章SiCMOSFET驅(qū)動(dòng)電路13芯片提供更強(qiáng)的電氣隔離,具有9.5mm的爬電距離和間隙,將控制與輸出部分完全隔離。芯片峰值電流輸出為±8A,能夠驅(qū)動(dòng)額定電流值高達(dá)600A的功率器件,最高可達(dá)150kHz的開(kāi)關(guān)頻率能夠滿足SiCMOSFET的高頻工作需求。芯片引腳結(jié)構(gòu)圖如圖2.1所示,結(jié)構(gòu)示意框圖如圖2.2所示。圖2.1SIC1182K驅(qū)動(dòng)芯片圖Figure2.1SIC1182Kdriverchipdiagram圖2.2驅(qū)動(dòng)芯片圖結(jié)構(gòu)示意圖Figure2.2Schematicdiagramofdriverchipstructure圖中各引腳的功能簡(jiǎn)要描述如表2.2所示:表2.2驅(qū)動(dòng)芯片引腳說(shuō)明Table2.2Descriptionofdriverchippins引腳名(序號(hào))引腳類別功能VCC引腳(1)GND引腳(3-6)IN引腳(7)連接一次側(cè)電源連接一次側(cè)的地邏輯控制信號(hào)輸入引腳供電于驅(qū)動(dòng)芯片提供一次側(cè)地參考電位接收PWM控制信號(hào)

原理圖,驅(qū)動(dòng)電路,原理圖,電源


第2章SiCMOSFET驅(qū)動(dòng)電路15圖2.3驅(qū)動(dòng)電路原理圖Figure2.3Schematicofthedrivercircuit驅(qū)動(dòng)電路核心控制部分由一塊高度集成的SIC1182K驅(qū)動(dòng)芯片構(gòu)成。采用分立元件搭建的SiCMOSFET驅(qū)動(dòng)電路可靠性較低,抗干擾能力較差,不易達(dá)成較高的開(kāi)關(guān)頻率。與使用分立元件搭建的驅(qū)動(dòng)電路相比,該驅(qū)動(dòng)電路可以排布在更小的PCB(PrintedCircuitBoard)板塊上,有著更加合理的線路結(jié)構(gòu),且驅(qū)動(dòng)電路中參數(shù)一致性好,相對(duì)能耗孝故障率低。并且僅需使用單臺(tái)單極性20V電源,驅(qū)動(dòng)電路便可輸出+15V和-5V的柵極驅(qū)動(dòng)電壓,不需要引入其他電路結(jié)構(gòu)或者使用多臺(tái)電源。該驅(qū)動(dòng)電路的-5V關(guān)斷電壓,能夠保證SiCMOSFET快速關(guān)斷,同時(shí)避免同橋臂開(kāi)關(guān)器件通斷所帶來(lái)的串?dāng)_問(wèn)題。2.3.2驅(qū)動(dòng)電路電源驅(qū)動(dòng)電路需要兩個(gè)電源供電,芯片引腳如圖2.4所示。其一為一次側(cè)的5V供電電源VCC,該電源以GND引腳為參考電位,用以驅(qū)動(dòng)芯片的邏輯判斷處理以及與二次側(cè)的通信;其二為二次側(cè)的20V單極性電源VTOT,該電源連接于VISO和COM之間。驅(qū)動(dòng)電路對(duì)電源有欠壓監(jiān)控保護(hù),當(dāng)電源VCC的電壓值小于4.15V或者電源VTOT的電壓值小于12.35V時(shí),驅(qū)動(dòng)芯片會(huì)控制驅(qū)動(dòng)電路停止工作,直到電源VCC與電源VTOT的電壓值分別恢復(fù)到4.3V與12.85V以上,驅(qū)動(dòng)電路重新工作。


本文編號(hào):3133672

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