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161. 電注入AlGaAs/GaAs NEA陰極的機理與制備工藝研究
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162. InGaAs/GaAs/InGaP量子阱激光器的溫度電壓特性
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163. 電學性能不反常的本征GaAs基InSb異質(zhì)外延研究
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164. InGaAs/GaAs半導體量子點納米材料光學性質(zhì)研究
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165. GaAs MESFET和HEMT器件的HPM電熱損傷效應研究
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166. 6英寸半絕緣GaAs單晶VGF和VB聯(lián)合生長技術(shù)
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167. Si/GaAs晶圓片鍵合熱應力及其影響因素分析
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168. 基于GaAs變?nèi)荻䴓O管的電調(diào)濾波器芯片設計
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169. 高電阻率均勻性4英寸半絕緣GaAs單晶生長技術(shù)
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170. GaAs基核輻射探測器理論模型及制備工藝研究
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