采用三步工藝進(jìn)行了GaAs基InSb的異質(zhì)外延生長并結(jié)合實(shí)驗(yàn)數(shù)據(jù)和文獻(xiàn)資料研究了生長溫度和速率、InSb層的厚度、低溫緩沖層質(zhì)量和雙In源工藝對材料Hall電學(xué)性能等的影響。發(fā)現(xiàn)溫度和生長速率對室溫載流子遷移率和本征載流子濃度影響不太大;晶體XRD FWHM隨膜厚的增加而逐漸地減小;低溫緩沖層的界面質(zhì)量和厚度對表面形貌具有一定的影響,低溫緩沖層的界面厚度不應(yīng)小于30 nm,ALE低溫緩沖層的方法可以降低局部表面粗糙度;實(shí)驗(yàn)發(fā)現(xiàn)在優(yōu)化的工藝參數(shù)基礎(chǔ)上采用雙In源生長工藝可以生長出電學(xué)性能不發(fā)生反常的理想本征InSb異質(zhì)外延薄膜材料。獲得2μm厚GaAs基InSb層在300 K和77 K的Hall遷移率分別為3.6546×10⁴ cm² V^-1 s^-1和7.9453×10⁴ cm² V^-1 s^-1,本征載流子遷移率和電子濃度隨溫度的變化符合理論公式的預(yù)期。 

【文章來源】：激光與紅外. 2020,50(02)北大核心CSCD

【文章頁數(shù)】：6 頁

【文章目錄】：
1 引 言
2 實(shí) 驗(yàn)
3 結(jié)果與討論
    3.1 生長溫度和速率對Hall電學(xué)性能的影響
    3.2 InSb層厚度對材料性能的影響
    3.3 InSb低溫緩沖層質(zhì)量對材料的影響
    3.4 雙In源生長方法對InSb異質(zhì)外延樣品Hall電學(xué)性能的改進(jìn)
4 結(jié) 論


【參考文獻(xiàn)】：
期刊論文
[1]高質(zhì)量InSb薄膜的MBE同質(zhì)和異質(zhì)外延生長[J]. 尚林濤,周翠,沈?qū)氂?周朋,劉銘,強(qiáng)宇,王彬.  激光與紅外. 2018(03)
[2]ALE法對InSb/GaAs異質(zhì)薄膜電學(xué)性能的改進(jìn)[J]. 尚林濤,劉銘,周朋,邢偉榮,沈?qū)氂?  激光與紅外. 2017(01)
[3]第三代紅外探測器的發(fā)展與選擇[J]. 史衍麗.  紅外技術(shù). 2013(01)



本文編號：3191706