研究了InGaAs/GaAs/InGaP量子阱激光器在不同溫度下的電流-電壓特性,并建立了一個理論模型進(jìn)行描述。實(shí)驗(yàn)所用激光器腔長為0.3 mm,脊條寬度為3μm。實(shí)驗(yàn)測量得到該激光器在15～100 K的電壓溫度系數(shù)（dV/dT）為7.87～8.32 mV/K,在100～300 K的電壓溫度系數(shù)為2.93～3.17 mV/K。由理論模型計(jì)算得到該激光器在15～100 K的電壓溫度系數(shù)為2.56～2.75 mV/K,在100～300 K的電壓溫度系數(shù)為3.91～4.15 mV/K。在100～300 K,實(shí)驗(yàn)測量與理論模型計(jì)算得出的電壓溫度系數(shù)接近,理論模型能較好地模擬激光器的溫度電壓特性;但在15～100 K相差較大,還需要進(jìn)一步完善。 

【文章來源】：發(fā)光學(xué)報. 2020,41(08)北大核心EICSCD

【文章頁數(shù)】：6 頁

【文章目錄】：
1 引 言
2 實(shí) 驗(yàn)
3 理論模型
4 結(jié)果與討論
    4.1 器件測試結(jié)果
    4.2 數(shù)值模擬與結(jié)果分析
5 結(jié) 論


【參考文獻(xiàn)】：
期刊論文
[1]InGaAs/GaAs/InGaP量子阱激光器的激光單模特性研究[J]. 湯瑜,曹春芳,趙旭熠,楊錦,李金友,龔謙,王海龍.  激光與光電子學(xué)進(jìn)展. 2019(13)
[2]外腔反饋對量子點(diǎn)激光器輸出特性的影響[J]. 龍睿,王海龍,成若海,龔謙,嚴(yán)進(jìn)一,汪洋,陳朋,宋志棠,封松林.  發(fā)光學(xué)報. 2013(04)



本文編號：3186052