隨著在現(xiàn)代核物理與核科學(xué)技術(shù)方面的深層次研究以及諸多關(guān)鍵理論的不斷突破,核技術(shù)在空間物理科學(xué)、核地質(zhì)學(xué)、現(xiàn)代醫(yī)療等諸多領(lǐng)域得到了越來(lái)越廣泛的應(yīng)用。與此同時(shí),近些年與核相關(guān)的事故發(fā)生率大大上升,像日本的福島核電站事故,給環(huán)境造成了很大的損失。因此核公共安全對(duì)于核輻射探測(cè)器的研究要求與日俱增,核輻射探測(cè)器越來(lái)越成為不可或缺的工具,對(duì)其研究具有重要的意義。GaAs是Ⅲ-Ⅴ族化合物半導(dǎo)體材料,具有禁帶寬度大、擊穿電壓高、抗輻照能力強(qiáng)、化學(xué)性能穩(wěn)定等一系列其他化合物半導(dǎo)體材料所沒(méi)有的優(yōu)點(diǎn)。由GaAs基或GaAs直接制作的器件,在器件反應(yīng)靈敏度、線性響應(yīng)、綜合性能方面都有很大的優(yōu)勢(shì),因此在核輻射探測(cè)領(lǐng)域的運(yùn)用越來(lái)越多。本文首先介紹了核輻射探測(cè)器的分類以及GaAs材料的相關(guān)仿真知識(shí)。其次通過(guò)軟件仿真對(duì)器件的很多性能進(jìn)行仿真模擬,得到了大量數(shù)據(jù)。通過(guò)改變器件參數(shù),仿真計(jì)算了GaAs核輻射探測(cè)器在α粒子的照射下的時(shí)間響應(yīng)性能,結(jié)果表明在i層厚度為3μm、i層摻雜濃度為1×1015/cm3、N層厚度為6μm、P層厚度為8μm、入射粒子能量在5.486MeV、偏壓在15V、環(huán)境溫度為320K時(shí)能夠得到比較理...

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【學(xué)位級(jí)別】：碩士

圖1.1核輻射探測(cè)器工作原理示意圖

圖1.2閃爍體探測(cè)器工作原理

圖1.3氣體核輻射探測(cè)器工作原理

圖1.4半導(dǎo)體探測(cè)器的工作原理圖

本文編號(hào)：3886937