分別利用Suhir雙金屬帶熱應(yīng)力分布理論和有限元法研究了Si/GaAs晶圓片鍵合界面在退火過程中的熱應(yīng)力分布,并將熱應(yīng)力分布理論計(jì)算結(jié)果與有限元分析結(jié)果進(jìn)行了對比驗(yàn)證,得到了一致的結(jié)論。根據(jù)計(jì)算分析結(jié)果,對晶圓片進(jìn)行了結(jié)構(gòu)熱變形分析,并研究了不同因素對鍵合熱應(yīng)力的影響,提出了減小鍵合熱應(yīng)力的有效措施。

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【文章目錄】：
0 引言
1 熱應(yīng)力模型和熱應(yīng)力的解析方程
2 結(jié)構(gòu)有限元熱分析
3 結(jié)構(gòu)熱變形分析
4 減小鍵合熱應(yīng)力的途徑
    4.1 不同半徑的鍵合結(jié)構(gòu)熱應(yīng)力
    4.2 退火溫度對鍵合熱應(yīng)力的影響
    4.3 Si和GaAs的厚度對鍵合熱應(yīng)力的影響
5 結(jié)論



本文編號：3745258