為您找到約2,500篇文章，耗時(shí)0.0385秒，數(shù)據(jù)庫總量為384,903,566篇。
您是不是要找：
-
101. 低溫GaN成核層MOCVD生長工藝對GaN外延薄膜影響的研究
-
-
102. 用于GaN功率開關(guān)的低損耗高頻全GaN柵極驅(qū)動器
-
-
103. 摻雜GaN和GaN/ZnO界面光電性質(zhì)的第一性原理研究
-
-
104. 基于自支撐GaN和藍(lán)寶石襯底AlGaN/GaN MISHEMT器件對比
-
-
105. 新型本征GaN帽層AlGaN/GaN HEMTs結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)及實(shí)驗(yàn)研究
-
-
106. 基于AlN和GaN形核層的AlGaN/GaN HEMT外延材料和器件對比
-
-
107. Cas-GAN:一種基于GAN和強(qiáng)化學(xué)習(xí)的對話管理策略學(xué)習(xí)方法
-
-
108. p-GaN帽層增強(qiáng)型GaN HEMT器件柵結(jié)構(gòu)與鈍化研究
-
-
109. Novel high voltage RESURF Al GaN /GaN HEMT with charged buff
-
-
110. 具有部分本征GaN帽層新型AlGaN/GaN高電子遷移率晶體管特性分析
-
