寬帶可調(diào)節(jié)模擬實時延時電路的研究與設(shè)計
發(fā)布時間:2021-01-13 18:23
近年來,隨著無線通信技術(shù)的迅速發(fā)展,模擬實時延時電路已經(jīng)廣泛應(yīng)用于無線通信和光纖數(shù)據(jù)傳輸系統(tǒng)中,比如微波成像器、雷達(dá)接收機(jī)和均衡器等。模擬實時延時集成電路具有寬帶、小型化、延時分辨率高、接收范圍廣并且消除波束偏移等特點。在寬帶陣列波束成形系統(tǒng)應(yīng)用中,實時延時電路能夠提高系統(tǒng)的信噪比和通信容量。因此,研究模擬實時延時電路對寬帶無線通信技術(shù)的發(fā)展具有重要的意義。本文深入研究了寬帶短時延有源延時電路,電路采用差分有源電感和單晶體管放大器構(gòu)成的二階全通濾波器結(jié)構(gòu)。分析了單晶體管二階全通濾波器的群延時,提出了采用差分有源電感設(shè)計短延時寬帶有源延時電路的方法。差分有源電感采用跨導(dǎo)倍增和負(fù)阻抗技術(shù)設(shè)計,實現(xiàn)了低電感值和較高的諧振頻率。研究了延時電路的可調(diào)節(jié)性,結(jié)合有源電感設(shè)計實現(xiàn)了寬帶短時延有源延時電路。基于0.18μm CMOS工藝對寬帶短時延有源延時電路進(jìn)行了流片驗證,測試結(jié)果表明:在3-12 GHz頻帶內(nèi),寬帶有源延時電路的延時時間的變化范圍為6-8.5ps。本文提出了基于延時鎖定環(huán)結(jié)構(gòu)作為校準(zhǔn)環(huán)路的寬帶有源延時線電路。電路由有源延時線和校準(zhǔn)環(huán)路組成,通過粗、細(xì)延時線串聯(lián)的方法,提高了延時線的...
【文章來源】:東南大學(xué)江蘇省 211工程院校 985工程院校 教育部直屬院校
【文章頁數(shù)】:117 頁
【學(xué)位級別】:博士
【部分圖文】:
不同技術(shù)情況下仿真的電感值比較
寬帶有源延時單元研究與設(shè)計流 I1,圖 2-13 所示為電感值與電流 I1成正比例關(guān)系電壓降低,Gm也降低,導(dǎo)致了輔助放大器直流增益Agds減小。對于偏置電流 I2,增加的 I2提高了|gf|,并且使通過仿真,圖 2-14 驗證了電感值 L 正比于 I2變化。
圖 2-13 不同偏置電流 I1情況下仿真的電感值(2.34)的分母可以表示為: Contantfmdsmdsds2fD 4 g 4g (G g) (2G g) g正比于-sCn,式(2.41)的第一項2n2f 4 g 4C,設(shè)f g 以,Cn反比于電感 L 而正比于 ωo,即電容 Cn越大,電為不同電容 Cn情況下仿真的電感值。較高的 Cn會引起與上面的推導(dǎo)分析一致。為了實現(xiàn)特定的有源延時電定 I2和 MOS 電容 Cn為固定值,僅僅調(diào)節(jié)偏置電流 I
【參考文獻(xiàn)】:
期刊論文
[1]基于CMOS的超寬帶信號產(chǎn)生電路設(shè)計與仿真[J]. 郭剛,王全民,黃柯棣. 系統(tǒng)仿真學(xué)報. 2010(06)
[2]高精度光纖延遲線的研究[J]. 邱志成,史雙瑾,邱琪. 光電工程. 2009(06)
[3]數(shù)字陣列雷達(dá)及其進(jìn)展[J]. 吳曼青. 中國電子科學(xué)研究院學(xué)報. 2006(01)
碩士論文
[1]高階線性相位開關(guān)電容濾波器設(shè)計[D]. 馬月超.哈爾濱工業(yè)大學(xué) 2013
[2]硅基片上螺旋電感的模型參數(shù)提取及應(yīng)用[D]. 石新明.大連理工大學(xué) 2009
本文編號:2975346
【文章來源】:東南大學(xué)江蘇省 211工程院校 985工程院校 教育部直屬院校
【文章頁數(shù)】:117 頁
【學(xué)位級別】:博士
【部分圖文】:
不同技術(shù)情況下仿真的電感值比較
寬帶有源延時單元研究與設(shè)計流 I1,圖 2-13 所示為電感值與電流 I1成正比例關(guān)系電壓降低,Gm也降低,導(dǎo)致了輔助放大器直流增益Agds減小。對于偏置電流 I2,增加的 I2提高了|gf|,并且使通過仿真,圖 2-14 驗證了電感值 L 正比于 I2變化。
圖 2-13 不同偏置電流 I1情況下仿真的電感值(2.34)的分母可以表示為: Contantfmdsmdsds2fD 4 g 4g (G g) (2G g) g正比于-sCn,式(2.41)的第一項2n2f 4 g 4C,設(shè)f g 以,Cn反比于電感 L 而正比于 ωo,即電容 Cn越大,電為不同電容 Cn情況下仿真的電感值。較高的 Cn會引起與上面的推導(dǎo)分析一致。為了實現(xiàn)特定的有源延時電定 I2和 MOS 電容 Cn為固定值,僅僅調(diào)節(jié)偏置電流 I
【參考文獻(xiàn)】:
期刊論文
[1]基于CMOS的超寬帶信號產(chǎn)生電路設(shè)計與仿真[J]. 郭剛,王全民,黃柯棣. 系統(tǒng)仿真學(xué)報. 2010(06)
[2]高精度光纖延遲線的研究[J]. 邱志成,史雙瑾,邱琪. 光電工程. 2009(06)
[3]數(shù)字陣列雷達(dá)及其進(jìn)展[J]. 吳曼青. 中國電子科學(xué)研究院學(xué)報. 2006(01)
碩士論文
[1]高階線性相位開關(guān)電容濾波器設(shè)計[D]. 馬月超.哈爾濱工業(yè)大學(xué) 2013
[2]硅基片上螺旋電感的模型參數(shù)提取及應(yīng)用[D]. 石新明.大連理工大學(xué) 2009
本文編號:2975346
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