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半浮柵晶體管Marx方波脈沖電源設(shè)計

發(fā)布時間:2018-02-03 02:12

  本文關(guān)鍵詞: Marx發(fā)生器 方波 截尾 半浮柵晶體管 磁芯隔離驅(qū)動 IR半橋驅(qū)動 出處:《強(qiáng)激光與粒子束》2017年10期  論文類型:期刊論文


【摘要】:為得到工業(yè)需要的大電流高重頻方波脈沖,分析并改進(jìn)了半導(dǎo)體全控型Marx發(fā)生器,在充電的同時實(shí)現(xiàn)了截尾功能。設(shè)計采用新型半浮柵結(jié)構(gòu)晶體管(SFGT)作為主開關(guān),可產(chǎn)生kV高壓、百A大電流、高重頻的方波脈沖。優(yōu)化了電路結(jié)構(gòu),解決直流充電源受脈沖電源放電電壓沖擊問題。研制得到電流100A、頻率4kHz、脈寬4μs、負(fù)高壓6kV、上升沿下降沿均在80ns內(nèi)的方波脈沖發(fā)生器。研究了相應(yīng)的SFGT磁芯隔離驅(qū)動電路,結(jié)合了SFGT柵極并聯(lián)自主電容隔離驅(qū)動和IR2110的半橋驅(qū)動電路,并對半橋上的MOS管的柵極等效電路進(jìn)行了理論分析,驅(qū)動電路具有抗干擾能力強(qiáng)且脈寬調(diào)節(jié)范圍大的特點(diǎn)。
[Abstract]:A square - wave pulse generator with high voltage , high current and high repetition frequency is designed by using a novel semi - floating gate structure transistor ( SFGT ) as the main switch . A novel half - floating gate structure transistor ( SFGT ) is used as the main switch to generate a square - wave pulse generator with high voltage , high current and high repetition frequency .

【作者單位】: 上海理工大學(xué)光電信息與計算機(jī)工程學(xué)院;
【基金】:上海市科技英才揚(yáng)帆計劃項(xiàng)目(15YF1408300) 中國滬江基金項(xiàng)目(B14002/D14002)
【分類號】:TN86
【正文快照】: 脈沖功率技術(shù)的很多應(yīng)用中,負(fù)載都表現(xiàn)出一定的容性行為[1],如介質(zhì)阻擋放電、食物殺菌、等離子體注入、空氣凈化、細(xì)胞處理[2-4]等。負(fù)載放電結(jié)束后,電荷會緩慢泄放,使負(fù)載上的電壓并不會很快降到零電位,從而使脈沖形成拖尾[5-6]。而在水污染處理中除對方波特性要求較高外,還

本文編號:1486114

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