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表面吸附體系非彈性電子隧穿譜的研究

發(fā)布時間:2021-06-01 07:40
  電子譜是研究分子結構和物質(zhì)化學組成的重要手段,自從1966年Jaklevic和Lambe在實驗過程中對通過“金屬-氧化物-金屬”組成的系統(tǒng)施加偏壓時首次觀測到非彈性電子隧穿譜(IETS),它就一直受到廣泛的關注。而非彈性電子隧穿譜基于其極高的靈敏度以及不受選擇性定則限制的特點已經(jīng)成為表面科學研究中不可或缺的技術手段,是揭示表面吸附系統(tǒng)的吸附構型和電子結構等特性有力的工具。本文構建了CO@Ag(100)以及CO@Cu(100)這兩種吸附體系,以密度泛函理論(Density functional theory簡稱DFT)為基礎,通過第一性原理計算,分別對CO@Ag(100)體系以及CO@Cu(100)體系中完美吸附模式和表面存在缺陷時的吸附模式進行了IETS計算,研究了吸附過程中非彈性電子隧穿對吸附物質(zhì)CO分子振動模式的激發(fā)作用,揭示了非彈性電子隧穿的本質(zhì)。本文的創(chuàng)新之處在對不同金屬吸附CO分子的體系進行IETS計算,并且對Cu(100)吸附CO分子的完美表面和點缺陷表面對比。本文的研究結果為研究表面吸附體系的譜學特征有重要的意義。文章的第一章節(jié)簡易敘述了文章工作的研究背景、研究目的和意義... 

【文章來源】:貴州大學貴州省 211工程院校

【文章頁數(shù)】:55 頁

【學位級別】:碩士

【部分圖文】:

表面吸附體系非彈性電子隧穿譜的研究


世界上第一次測量的單個C2H2和C2D2分子的IETS[19]

恒流,丙烷


Hihath 等人業(yè)通過 IETS 的方法對 1,3-二巰基丙烷們得到了分子結伸縮對應著其中每一個單分子的導圖 1-3 C2H2 和 C2D2 恒流像[19]

示意圖,隧穿,示意圖,偏壓


下面簡要介紹 IETS 的具體測量方式。在實驗中,我們對“金屬-絕緣層-金屬”體系施加一個偏壓,隨著偏壓不斷增大,直到可以激發(fā)有機分子振動時,那么電子損失能量,分子受到激發(fā)產(chǎn)生振動模式。電子的隧穿通從一個變成兩個,即:圖 3-1 非彈性電子隧穿示意圖[43]

【參考文獻】:
博士論文
[1]納米及表面吸附體系的第一性原理研究[D]. 任浩.中國科學技術大學 2010



本文編號:3209965

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