發(fā)布時(shí)間：2021-06-01 07:34

　　介質(zhì)阻擋放電（Dielectric Barrier Discharge,簡(jiǎn)稱(chēng)DBD）技術(shù)已在臭氧合成、光源照明、等離子體顯示、原子光譜等方面都獲得了廣泛的研究及應(yīng)用。如何研制出滿足微型原子化器放電需求的介質(zhì)阻擋放電（DBD）裝置是深入研究原子化裝置的關(guān)鍵所在。為此,本文主要研究介質(zhì)阻擋放電放電特性及一種用于微型原子化器的介質(zhì)阻擋放電裝置。本文內(nèi)容主要包括介質(zhì)阻擋放電技術(shù)及原理分析、基于Ansys介質(zhì)阻擋放電特性的仿真分析,適用于微型原子化器的介質(zhì)阻擋放電（DBD）裝置軟硬件設(shè)計(jì)。文中對(duì)介質(zhì)阻擋放電技術(shù)及原理進(jìn)行了分析,并對(duì)適用于微型原子化器的介質(zhì)阻擋放電電極結(jié)構(gòu)及等效電路進(jìn)行了探討。針對(duì)于介質(zhì)阻擋放電特性研究,文中基于Ansys軟件對(duì)平板型介質(zhì)阻擋放電（DBD）裝置進(jìn)行了電子密度分布的仿真分析,如不同的介質(zhì)阻擋材質(zhì)、激勵(lì)電極形狀、介質(zhì)厚度、放電間隙及激勵(lì)電壓等參數(shù)對(duì)平板型DBD放電裝置電子密度的影響,仿真分析結(jié)果為后續(xù)研究介質(zhì)阻擋放電（DBD）裝置的結(jié)構(gòu)奠定理論基礎(chǔ)。針對(duì)于介質(zhì)阻擋放電（DBD）裝置軟硬件設(shè)計(jì),以STM32單片機(jī)為控制核心,通過(guò)控制SG3525芯片實(shí)現(xiàn)對(duì)輸出波形的脈沖寬... 

【文章來(lái)源】：湖北民族大學(xué)湖北省

【文章頁(yè)數(shù)】：56 頁(yè)

【學(xué)位級(jí)別】：碩士

【部分圖文】：

放電過(guò)程形成示意圖

(a) (b) (c)圖 2-2 介質(zhì)阻擋放電的三種結(jié)構(gòu)Figure 2-2 The three structures of dielectric barrier discharge-2（a）是絕緣一塊介質(zhì)覆蓋于兩電極之間的一種介電結(jié)構(gòu)形式，其電產(chǎn)生的熱量可通過(guò)電極散發(fā)，可用作臭氧發(fā)生器的制作。圖中（別被絕緣介質(zhì)覆蓋，等離子產(chǎn)生在兩介質(zhì)之間�？煞乐沟入x子體直。此介電結(jié)構(gòu)形成的放電形式稱(chēng)之為沿面介質(zhì)阻擋放電發(fā)生器。一蝕性氣體和高純度等離子的制造。圖中（c）是絕緣介質(zhì)位于兩電介電結(jié)構(gòu)的兩邊都不與介質(zhì)接觸，使得不同濃度的等離子體在介質(zhì)生。本文平板型 DBD 裝置采用的是圖中（b）的結(jié)構(gòu)形式。通過(guò)上不同的介電結(jié)構(gòu)對(duì)放電特性影響不同，其作用也各不相同。改變阻，相應(yīng)的介質(zhì)介電常數(shù)被改變（不同的介質(zhì)，介電常數(shù)不同，玻璃 5，環(huán)氧樹(shù)脂的介電常數(shù)是 3.9，聚四氟乙烯的介電常數(shù)是 2.3 等的電場(chǎng)強(qiáng)度也會(huì)隨著介質(zhì)材料的不同而不同；阻擋介質(zhì)的厚度不

圖 2-3 微型原子化器平板型 DBD 裝置Figure 2-3 Flat DBD device for microatomizer的等效電路電往往出現(xiàn)在平板型 DBD 介質(zhì)阻擋層所等效電路是不同的，放電前 DBD 等效阻擋材料與氣體間隙分壓組成放電回路Cg串聯(lián)組成 DBD 的等效電路；氣隙擊穿線性變化，因此由 Cd和微放電等效電路b）所示。

【參考文獻(xiàn)】：
期刊論文
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博士論文
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碩士論文
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[3]沿面介質(zhì)阻擋放電裝置結(jié)構(gòu)優(yōu)化及供電研究[D]. 岳帥.大連理工大學(xué) 2015
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[6]智能閥門(mén)定位器的設(shè)計(jì)[D]. 廖宣亮.南昌大學(xué) 2012
[7]級(jí)聯(lián)型多電平交流變換器及其應(yīng)用研究[D]. 付正洲.南京理工大學(xué) 2012
[8]介質(zhì)阻擋放電用高頻高壓電源的研制[D]. 王友旭.大連理工大學(xué) 2010
[9]低壓孔板電極介質(zhì)阻擋放電特性及匹配電源的研究[D]. 王瑩.大連理工大學(xué) 2009
[10]用于介質(zhì)阻擋放電的串聯(lián)諧振電源的研究[D]. 馬磊.山東大學(xué) 2008



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