采用分子束外延技術(shù)（MBE）在Ga As襯底上外延生長(zhǎng)高In組分（>40%）In Ga NAs/Ga As量子阱材料,工作波長(zhǎng)覆蓋1.3¹.55μm光纖通信波段。利用室溫光致發(fā)光（PL）光譜研究了N原子并入的生長(zhǎng)機(jī)制和In Ga NAs/Ga As量子阱的生長(zhǎng)特性。結(jié)果表明:N組分增加會(huì)引入大量非輻射復(fù)合中心;隨著生長(zhǎng)溫度從480℃升高到580℃,N摩爾分?jǐn)?shù)從2%迅速下降到0.2%;N并入組分幾乎不受In組分和As壓的影響,黏附系數(shù)接近1;生長(zhǎng)溫度在410℃、Ⅴ/Ⅲ束流比在25左右時(shí),In_0.4Ga_0.6N_0.01As_0.99/Ga As量子阱PL發(fā)光強(qiáng)度最大,缺陷和位錯(cuò)最少;高生長(zhǎng)速率可以獲得較短的表面遷移長(zhǎng)度和較好的晶體質(zhì)量。 

【文章來源】：發(fā)光學(xué)報(bào). 2017,38(11)北大核心EICSCD

【文章頁(yè)數(shù)】：6 頁(yè)

【文章目錄】：
1 引言
2 實(shí)驗(yàn)
3 結(jié)果與討論
    3.1 N并入In Ga As的MBE生長(zhǎng)
    3.3 1.55μm In Ga NAs/Ga As量子阱
4 結(jié)論


【參考文獻(xiàn)】：
期刊論文
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