SiH和SiH + 光譜常數(shù)和躍遷性質(zhì)的研究
發(fā)布時間:2021-02-03 05:23
分子勢能函數(shù)描述了分子的內(nèi)部能量、幾何結(jié)構(gòu)和光譜數(shù)據(jù),是研究雙原子分子性質(zhì)的重要途徑之一。此外,分子勢能函數(shù)在激光冷卻領(lǐng)域有著重要的應(yīng)用。超冷分子的應(yīng)用非常廣泛。但是,由于分子復(fù)雜的內(nèi)部結(jié)構(gòu),直接激光冷卻分子很難實現(xiàn)。在2010時,首次在實驗上成功的冷卻了 SrF分子,之后越來越多的分子被研究。然而,激光冷卻的候選者必須滿足以下條件:(1)高度對角化的弗蘭克-康登因子(FCFs);(2)短的輻射壽命τ,以保證快速的激光冷卻;(3)如果躍遷中存在中間態(tài),必須確保中間態(tài)對冷卻循環(huán)沒有影響。本文主要研究了SiH和SiH+光譜數(shù)據(jù)和躍遷性質(zhì),進而判斷分子是否適合激光冷卻。如果適合激光冷卻,則設(shè)計出激光冷卻的方案。本文運用高精度的多參考組態(tài)相互作用方法(MRCI)計算了 SiH和SiH+電子態(tài)的勢能曲線。為了得到更精確的結(jié)果,我們在計算過程中考慮了 Davidson修正、核價相關(guān)修正、標(biāo)量相對論修正和自旋軌道耦合(SOC)效應(yīng)。根據(jù)計算的勢能曲線,數(shù)值求解一維徑向薛定諤方程得到了各個電子態(tài)的光譜數(shù)據(jù),并與實驗值和其他理論值進行比較。同時,計算了 SiH分子和SiH+離子的躍遷性質(zhì),包括永久偶極矩...
【文章來源】:西安郵電大學(xué)陜西省
【文章頁數(shù)】:57 頁
【學(xué)位級別】:碩士
【部分圖文】:
圖2.1雙原子分子的3種勢能曲線
第 3 章 SiH 電子結(jié)構(gòu)和激光冷卻的理論研究TDMs、愛因斯坦自發(fā)輻射系數(shù)、康登因子和輻射壽命。果分析非分裂態(tài) S的勢能曲線和光譜數(shù)據(jù)更加準(zhǔn)確的判斷 SiH 分子激光冷卻的可行性,這里計算了 6 個非分裂態(tài)光譜數(shù)據(jù),包括2X ,4a ,2A ,2B ,2C 和2D 態(tài)。圖 3.1 所示距從 0.6 到 7 之間的勢能曲線。其中,電子態(tài) , 和 的 3 2g gi P H S,電子態(tài) 和 的離解極限是 1 2g gSi D H S, 限是 1 2g gSi S H S。除此之外,我們計算了電子態(tài) , , ,的光譜數(shù)據(jù),并且列在了表格 3.1 之中,同時,對應(yīng)的實驗數(shù)據(jù)[54]也列
圖 3.2 SiH 分子分裂態(tài)的勢能曲線表 3.2 分裂態(tài) 的光譜數(shù)據(jù)。eT ( cm-1)eR ( ) e(cm-1) e e(cm-1)eB (cm-1)eD (0 1.5169 2041.3882 32.9345 7.5305 3.189141.0343 1.5169 2041.8380 32.9634 7.5312 3.19914214.7107 1.4893 2069.7002 64.7997 7.8216 1.43914215.6983 1.4893 2069.7052 64.7964 7.8216 1.44625150.0320 1.5258 1858.4040 117.8483 7.4685 0.84225152.7755 1.5259 1856.6716 117.5753 7.4678 0.841第一個勢阱 31536.5231 1.5298 1716.7276 -- 7.1305 0.031第二個勢阱 31721.1012 3.3993 74.0173 -- 1.1803 0.008
【參考文獻】:
碩士論文
[1]LiRb和XBe(X=Li,Rb,Cs)分子解析勢能函數(shù)的構(gòu)建及激光冷卻的理論研究[D]. 游楊.魯東大學(xué) 2016
本文編號:3015972
【文章來源】:西安郵電大學(xué)陜西省
【文章頁數(shù)】:57 頁
【學(xué)位級別】:碩士
【部分圖文】:
圖2.1雙原子分子的3種勢能曲線
第 3 章 SiH 電子結(jié)構(gòu)和激光冷卻的理論研究TDMs、愛因斯坦自發(fā)輻射系數(shù)、康登因子和輻射壽命。果分析非分裂態(tài) S的勢能曲線和光譜數(shù)據(jù)更加準(zhǔn)確的判斷 SiH 分子激光冷卻的可行性,這里計算了 6 個非分裂態(tài)光譜數(shù)據(jù),包括2X ,4a ,2A ,2B ,2C 和2D 態(tài)。圖 3.1 所示距從 0.6 到 7 之間的勢能曲線。其中,電子態(tài) , 和 的 3 2g gi P H S,電子態(tài) 和 的離解極限是 1 2g gSi D H S, 限是 1 2g gSi S H S。除此之外,我們計算了電子態(tài) , , ,的光譜數(shù)據(jù),并且列在了表格 3.1 之中,同時,對應(yīng)的實驗數(shù)據(jù)[54]也列
圖 3.2 SiH 分子分裂態(tài)的勢能曲線表 3.2 分裂態(tài) 的光譜數(shù)據(jù)。eT ( cm-1)eR ( ) e(cm-1) e e(cm-1)eB (cm-1)eD (0 1.5169 2041.3882 32.9345 7.5305 3.189141.0343 1.5169 2041.8380 32.9634 7.5312 3.19914214.7107 1.4893 2069.7002 64.7997 7.8216 1.43914215.6983 1.4893 2069.7052 64.7964 7.8216 1.44625150.0320 1.5258 1858.4040 117.8483 7.4685 0.84225152.7755 1.5259 1856.6716 117.5753 7.4678 0.841第一個勢阱 31536.5231 1.5298 1716.7276 -- 7.1305 0.031第二個勢阱 31721.1012 3.3993 74.0173 -- 1.1803 0.008
【參考文獻】:
碩士論文
[1]LiRb和XBe(X=Li,Rb,Cs)分子解析勢能函數(shù)的構(gòu)建及激光冷卻的理論研究[D]. 游楊.魯東大學(xué) 2016
本文編號:3015972
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