【摘要】：Ⅲ族氮化物半導體材料(InN、GaN、AlN)由于能帶結(jié)構(gòu)的特殊性,使其在光電器件與微波等領(lǐng)域得到廣泛應用。其中,研究和發(fā)展InN材料及器件已被公認是占領(lǐng)光電信息技術(shù)領(lǐng)域戰(zhàn)略至高點的重要途徑,InN材料的p型導電以及室溫鐵磁性研究更是成為Ⅲ族氮化物中新穎的研究課題。首先簡單介紹InN的晶體結(jié)構(gòu)和制備方法,并分析其目前所遇到的挑戰(zhàn),然后重點闡述國際上關(guān)于InN在p型摻雜以及鐵磁性領(lǐng)域的研究進展,同時介紹本課題組在該方面的研究,最后進行了簡要總結(jié)和展望。
[Abstract]:Because of the particularity of band structure, 鈪，

本文編號：2404880