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EV驅(qū)動(dòng)系統(tǒng)傳導(dǎo)電磁干擾及抗擾度研究

發(fā)布時(shí)間:2017-08-31 06:09

  本文關(guān)鍵詞:EV驅(qū)動(dòng)系統(tǒng)傳導(dǎo)電磁干擾及抗擾度研究


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【摘要】:隨著全球能源危機(jī)的日益加劇和電力電子技術(shù)的快速發(fā)展,電動(dòng)汽車行業(yè)得到了迅速發(fā)展,同時(shí)電動(dòng)汽車驅(qū)動(dòng)系統(tǒng)在運(yùn)行時(shí)產(chǎn)生的電磁兼容性問題也越來越嚴(yán)重。驅(qū)動(dòng)系統(tǒng)中的大功率開關(guān)器件在高速通斷瞬間會(huì)伴隨有峰值電壓和浪涌電流,作用于系統(tǒng)部件的高頻寄生參數(shù)時(shí)會(huì)形成較強(qiáng)的傳導(dǎo)電磁干擾,從而影響電力電子元件甚至整車的可靠運(yùn)行。本文面向EV驅(qū)動(dòng)系統(tǒng)中的電磁兼容性問題,對(duì)其傳導(dǎo)干擾的預(yù)測(cè)與抑制和電磁抗擾度測(cè)試進(jìn)行了系統(tǒng)的研究。首先利用建模仿真、實(shí)驗(yàn)測(cè)試的方法提取了系統(tǒng)中無源器件的寄生參數(shù),為建立系統(tǒng)高頻模型做好準(zhǔn)備;其次在Saber軟件中建立了理想情況下和考慮無源器件寄生參數(shù)情況下的時(shí)域模型,對(duì)比了兩者直流側(cè)與交流側(cè)的傳導(dǎo)電磁干擾;然后針對(duì)系統(tǒng)傳導(dǎo)干擾強(qiáng)度較大的問題,創(chuàng)新性的提出了母線排優(yōu)化技術(shù)和安規(guī)電容濾波技術(shù),并通過仿真與實(shí)驗(yàn)的方法測(cè)試了兩種技術(shù)對(duì)傳導(dǎo)干擾的抑制效果;最后以開關(guān)電源為例,介紹了一種系統(tǒng)或部件通用的射頻傳導(dǎo)抗擾度測(cè)試方法。研究表明,無源器件在高頻狀態(tài)下會(huì)產(chǎn)生相應(yīng)的寄生參數(shù),使得EV驅(qū)動(dòng)系統(tǒng)中的傳導(dǎo)電磁干擾強(qiáng)度增大,超過了國家標(biāo)準(zhǔn)規(guī)定的限值,母線排優(yōu)化技術(shù)和安規(guī)電容濾波技術(shù)可以有效的抑制系統(tǒng)電磁干擾;通過搭建部件測(cè)試平臺(tái),試驗(yàn)得到了開關(guān)電源的抗擾度情況,驗(yàn)證了該傳導(dǎo)抗擾度測(cè)試方法的有效性與通用性,可以應(yīng)用到EV驅(qū)動(dòng)系統(tǒng)或部件的抗擾度測(cè)試中。本課題的研究對(duì)電力電子裝置的傳導(dǎo)電磁干擾抑制分析和電磁抗擾度的預(yù)測(cè)分析具有重要意義。
【關(guān)鍵詞】:EV驅(qū)動(dòng)系統(tǒng) 寄生參數(shù) 疊層母線排 安規(guī)電容 電磁干擾 電磁抗擾度
【學(xué)位授予單位】:天津理工大學(xué)
【學(xué)位級(jí)別】:碩士
【學(xué)位授予年份】:2016
【分類號(hào)】:U469.72
【目錄】:
  • 摘要5-6
  • Abstract6-9
  • 第一章 緒論9-12
  • 1.1 課題研究背景和意義9-10
  • 1.2 課題研究現(xiàn)狀10
  • 1.3 課題研究內(nèi)容與創(chuàng)新點(diǎn)10-12
  • 第二章 無源器件寄生參數(shù)提取12-17
  • 2.1 EV驅(qū)動(dòng)系統(tǒng)介紹12
  • 2.2 元件寄生參數(shù)提取12-16
  • 2.2.1 放電電阻寄生參數(shù)提取13
  • 2.2.2 支撐電容寄生參數(shù)提取13-14
  • 2.2.3 交流電感寄生參數(shù)提取14
  • 2.2.4 獨(dú)立母線排寄生參數(shù)提取14-15
  • 2.2.5 IGBT對(duì)散熱片寄生參數(shù)提取15-16
  • 2.3 本章小結(jié)16-17
  • 第三章 考慮寄生參數(shù)影響的系統(tǒng)傳導(dǎo)EMI研究17-27
  • 3.1 EV驅(qū)動(dòng)系統(tǒng)傳導(dǎo)EMI分析17-21
  • 3.1.1 傳導(dǎo)EMI形成的三要素17-18
  • 3.1.2 傳導(dǎo)EMI的預(yù)測(cè)分析18-21
  • 3.2 EV驅(qū)動(dòng)系統(tǒng)傳導(dǎo)EMI仿真21-26
  • 3.2.1 理想情況下EMI仿真21-24
  • 3.2.2 考慮寄生參數(shù)情況下EMI仿真24-26
  • 3.3 本章小結(jié)26-27
  • 第四章 母線排優(yōu)化技術(shù)27-35
  • 4.1 疊層母線排設(shè)計(jì)原理27-28
  • 4.2 疊層母線排建模與仿真28-34
  • 4.2.1 建模提取寄生參數(shù)28-31
  • 4.2.2 母線排寄生參數(shù)對(duì)系統(tǒng)EMI影響31-32
  • 4.2.3 母線排場(chǎng)的觀測(cè)32-33
  • 4.2.4 實(shí)驗(yàn)驗(yàn)證分析33-34
  • 4.3 本章小結(jié)34-35
  • 第五章 安規(guī)電容對(duì)系統(tǒng)傳導(dǎo)EMI抑制技術(shù)35-43
  • 5.1 安規(guī)電容介紹35-37
  • 5.1.1 XY電容分類35-36
  • 5.1.2 XY電容連接36
  • 5.1.3 XY電容選擇36-37
  • 5.2 XY電容作用仿真37-40
  • 5.2.1 只加X電容測(cè)試37-38
  • 5.2.2 只加Y電容測(cè)試38-39
  • 5.2.3 加XY電容測(cè)試39-40
  • 5.3 XY電容作用實(shí)驗(yàn)40-42
  • 5.3.1 實(shí)驗(yàn)平臺(tái)40-41
  • 5.3.2 實(shí)驗(yàn)結(jié)果41-42
  • 5.4 本章小結(jié)42-43
  • 第六章 系統(tǒng)EMS測(cè)試方法43-52
  • 6.1 系統(tǒng)EMS測(cè)試內(nèi)容43-45
  • 6.1.1 抗雷擊浪涌測(cè)試43
  • 6.1.2 振蕩波EMS測(cè)試43
  • 6.1.3 電快速瞬變脈沖群EMS測(cè)試43-44
  • 6.1.4 射頻傳導(dǎo)EMS測(cè)試44-45
  • 6.2 傳導(dǎo)EMS測(cè)試方法45-46
  • 6.3 實(shí)驗(yàn)測(cè)試46-51
  • 6.3.1 校準(zhǔn)參數(shù)47
  • 6.3.2 電壓變化47-49
  • 6.3.3 輻射場(chǎng)電平49-51
  • 6.4 本章小結(jié)51-52
  • 第七章 總結(jié)與展望52-54
  • 7.1 全文總結(jié)52
  • 7.2 課題展望52-54
  • 參考文獻(xiàn)54-57
  • 發(fā)表論文和科研情況說明57-58
  • 致謝58-59

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本文編號(hào):763889

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