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電磁場與TiB 2 納米粒子作用下CuAlMn形狀記憶合金晶粒細(xì)化技術(shù)研究

發(fā)布時(shí)間:2021-12-01 19:41
  使用掃描電子顯微鏡和光學(xué)顯微鏡研究了電磁場與TiB2納米粒子作用下CuAlMn形狀記憶合金的晶粒細(xì)化機(jī)理。結(jié)果表明:TiB2納米粒子與CuAlMn形狀記憶合金基體的最小二維錯(cuò)配度是5.28%,因此,TiB2納米粒子可以作為CuAlMn形狀記憶合金的有效異質(zhì)形核核心顯著細(xì)化其晶粒組織。電磁場能夠有效抑制TiB2納米粒子的團(tuán)聚,提高TiB2納米粒子的晶粒細(xì)化效果并能減少球形孔洞缺陷。添加1%TiB2納米粒子的同時(shí)施加120 A的旋轉(zhuǎn)電磁場,可以將CuAlMn形狀記憶合金真空熔鑄鑄錠的晶粒組織從1.62細(xì)化至0.41 mm。 

【文章來源】:真空科學(xué)與技術(shù)學(xué)報(bào). 2020,40(07)北大核心CSCD

【文章頁數(shù)】:4 頁

【文章目錄】:
1 試驗(yàn)
2 試驗(yàn)結(jié)果
3 晶粒細(xì)化的機(jī)理分析
    3.1 TiB2納米粒子的作用
    3.2 電磁場的作用
4 結(jié)論



本文編號(hào):3526939

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