熱遷移下微焊點(diǎn)組織演變及蠕變行為研究
【文章頁數(shù)】:86 頁
【學(xué)位級別】:碩士
【部分圖文】:
圖1-13D封裝結(jié)構(gòu)
是這種形式的封裝需要很高的對準(zhǔn)度,在當(dāng)時(shí)的生產(chǎn)條件下,封裝點(diǎn)。0世紀(jì)80年代表面貼裝技術(shù)(SMT)時(shí)代:四側(cè)引線的封裝結(jié)構(gòu)(Q封裝結(jié)構(gòu)的電氣特性,再加上其成本低廉和易于自動(dòng)化生產(chǎn)的特得到了快速的發(fā)展。0世紀(jì)90年代球柵陣列封裝(BGA)時(shí)代:封裝的密度由于BGA和....
圖1-2Cu/Sn3.5Ag/Cu焊點(diǎn)實(shí)驗(yàn)
華南理工大學(xué)碩士學(xué)位論文料、Cu為基板的焊點(diǎn)作為實(shí)驗(yàn)對象,進(jìn)行了如圖1-2所示的實(shí)驗(yàn),實(shí)驗(yàn)在150℃103A/cm2的電流下進(jìn)行,試樣B1和B4不受電流影響,B2和B3受到電遷移和熱影響,結(jié)果試樣熱端均出現(xiàn)空洞。實(shí)驗(yàn)還通過改變電流方向使電遷移與熱遷移方,來驗(yàn)....
圖1-3經(jīng)典蠕變曲線圖
材料長時(shí)間在恒定的溫度和應(yīng)力下發(fā)生塑性變形的。理論上認(rèn)(T/Tm,T為材料所處的熱力學(xué)溫度,Tm為對應(yīng)材料的熱力學(xué)才會(huì)發(fā)生明顯的蠕變行為。由此可知,一般情況下金屬在低。但是部分金屬材料熔點(diǎn)比較低,如Pb、Sn及其合金,在常經(jīng)超過0.5,對于這類金屬而言,常溫下即可發(fā)生明顯....
圖1-4蠕變試樣
電流密度不斷增大,造成更多的焦耳熱,使焊點(diǎn)所的焦耳熱還會(huì)使焊點(diǎn)承受更加大的熱應(yīng)力,在這種情況下,現(xiàn)象。所以,為了更加深入地研究電子封裝失效的機(jī)制,需支持。近年來,學(xué)者們開始對焊點(diǎn)的蠕變現(xiàn)象進(jìn)行研究,但集中在均勻溫度場下的蠕變行為,而對于溫度梯度下的切應(yīng)報(bào)道,賈等[44]以800....
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