為了滿(mǎn)足便攜化、輕量化和多功能化的需求,電子產(chǎn)品在趨向于小型化的同時(shí)集成度越來(lái)越高,這必將導(dǎo)致互連焊點(diǎn)的特征尺寸越來(lái)越小,并且使互連焊點(diǎn)兩端的產(chǎn)熱更加不平衡,導(dǎo)致焊點(diǎn)承受更高的溫度梯度,從而引發(fā)更加明顯的熱遷移現(xiàn)象。在電子封裝中,互連焊點(diǎn)結(jié)構(gòu)中的基板、釬料等所選用的材料不同,導(dǎo)致其熱膨脹系數(shù)也不同,在互連焊點(diǎn)服役過(guò)程中,當(dāng)承受焦耳熱時(shí),必然會(huì)使互連焊點(diǎn)受到熱應(yīng)力的作用,使其發(fā)生蠕變并最終失效。因此,研究微焊點(diǎn)的熱遷移效應(yīng)以及熱遷移下的蠕變行為是研究電子封裝互連焊點(diǎn)可靠性的重要途徑。近年來(lái),隨著無(wú)鉛釬料的推廣,研究無(wú)鉛焊點(diǎn)的熱遷移效應(yīng)及熱遷移下的蠕變具有重要意義。本文以Cu/Sn0.7Cu/Cu、Cu/Sn0.7Cu/Ni和Ni/Sn0.7Cu/Ni焊點(diǎn)結(jié)構(gòu)為實(shí)驗(yàn)的研究對(duì)象,在中值溫度為125℃、溫度梯度為1120℃/cm的熱遷移條件下進(jìn)行焊點(diǎn)的熱遷移實(shí)驗(yàn),分析界面組織的生長(zhǎng)演變規(guī)律,分析熱遷移對(duì)其的影響。在同一熱遷移條件下,施加不同的應(yīng)力,研究微焊點(diǎn)在耦合熱遷移下的蠕變行為,探究其蠕變機(jī)制。首先進(jìn)行了Cu/Sn0.7Cu/Cu和Ni/Sn0.7Cu/Ni兩種焊點(diǎn)結(jié)構(gòu)的熱遷移實(shí)驗(yàn),研究了...

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【學(xué)位級(jí)別】：碩士

【部分圖文】：

圖1-13D封裝結(jié)構(gòu)

是這種形式的封裝需要很高的對(duì)準(zhǔn)度，在當(dāng)時(shí)的生產(chǎn)條件下，封裝點(diǎn)。0世紀(jì)80年代表面貼裝技術(shù)(SMT)時(shí)代：四側(cè)引線(xiàn)的封裝結(jié)構(gòu)（Q封裝結(jié)構(gòu)的電氣特性，再加上其成本低廉和易于自動(dòng)化生產(chǎn)的特得到了快速的發(fā)展。0世紀(jì)90年代球柵陣列封裝(BGA)時(shí)代：封裝的密度由于BGA和....

圖1-2Cu/Sn3.5Ag/Cu焊點(diǎn)實(shí)驗(yàn)

華南理工大學(xué)碩士學(xué)位論文料、Cu為基板的焊點(diǎn)作為實(shí)驗(yàn)對(duì)象，進(jìn)行了如圖1-2所示的實(shí)驗(yàn)，實(shí)驗(yàn)在150℃103A/cm2的電流下進(jìn)行，試樣B1和B4不受電流影響，B2和B3受到電遷移和熱影響，結(jié)果試樣熱端均出現(xiàn)空洞。實(shí)驗(yàn)還通過(guò)改變電流方向使電遷移與熱遷移方，來(lái)驗(yàn)....

圖1-3經(jīng)典蠕變曲線(xiàn)圖

材料長(zhǎng)時(shí)間在恒定的溫度和應(yīng)力下發(fā)生塑性變形的。理論上認(rèn)（T/Tm，T為材料所處的熱力學(xué)溫度，Tm為對(duì)應(yīng)材料的熱力學(xué)才會(huì)發(fā)生明顯的蠕變行為。由此可知，一般情況下金屬在低。但是部分金屬材料熔點(diǎn)比較低，如Pb、Sn及其合金，在常經(jīng)超過(guò)0.5，對(duì)于這類(lèi)金屬而言，常溫下即可發(fā)生明顯....

圖1-4蠕變?cè)嚇?br>
電流密度不斷增大，造成更多的焦耳熱，使焊點(diǎn)所的焦耳熱還會(huì)使焊點(diǎn)承受更加大的熱應(yīng)力，在這種情況下，現(xiàn)象。所以，為了更加深入地研究電子封裝失效的機(jī)制，需支持。近年來(lái)，學(xué)者們開(kāi)始對(duì)焊點(diǎn)的蠕變現(xiàn)象進(jìn)行研究，但集中在均勻溫度場(chǎng)下的蠕變行為，而對(duì)于溫度梯度下的切應(yīng)報(bào)道，賈等[44]以800....

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