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不同工藝下取向硅鋼超薄帶中Goss織構(gòu)取向分析

發(fā)布時(shí)間:2021-10-25 17:14
  采用"初次再結(jié)晶法"和"二次再結(jié)晶法"制備了0.10 mm和0.05 mm取向硅鋼超薄帶,研究了兩種制備方法下高斯織構(gòu)形成規(guī)律的差異;考察了"初次再結(jié)晶法"中退火時(shí)間對(duì)織構(gòu)和磁性能的影響;分析了"二次再結(jié)晶法"板厚對(duì)二次再結(jié)晶的影響。結(jié)果表明,"初次再結(jié)晶法"所形成的高斯織構(gòu)是單晶高斯取向晶粒的形變?cè)俳Y(jié)晶行為,隨著退火時(shí)間的延長(zhǎng),強(qiáng)偏轉(zhuǎn)立方取向逐漸被高斯取向所取代;采用"二次再結(jié)晶法"制備0.05 mm及以下厚度取向硅鋼超薄帶時(shí),二次再結(jié)晶難以發(fā)生。 

【文章來(lái)源】:材料熱處理學(xué)報(bào). 2020,41(10)北大核心CSCD

【文章頁(yè)數(shù)】:6 頁(yè)

【部分圖文】:

不同工藝下取向硅鋼超薄帶中Goss織構(gòu)取向分析


初次再結(jié)晶法900 ℃下不同退火時(shí)間樣品的取向成像

再結(jié)晶,磁極,樣品,強(qiáng)度


圖1 初次再結(jié)晶法900 ℃下不同退火時(shí)間樣品的取向成像圖4給出了兩個(gè)厚度樣品緩慢升溫到1200 ℃高溫退火后的宏觀組織:其中0.10 mm厚樣品發(fā)生了完善的二次再結(jié)晶,而0.05 mm厚樣品卻未發(fā)生異常長(zhǎng)大。經(jīng)檢測(cè),0.10 mm和0.05 mm樣品J800分別為1.80 T和1.39 T,性能數(shù)據(jù)低于初次再結(jié)晶法,推測(cè)織構(gòu)不如前者鋒銳。兩個(gè)樣品高溫退火前主要是厚度存在差異,MnS及AlN尺寸及分布應(yīng)無(wú)差異。高溫退火后的結(jié)果卻截然不同,說(shuō)明厚度減薄帶來(lái)的表面能作用會(huì)嚴(yán)重影響抑制劑的有效發(fā)揮,阻礙二次再結(jié)晶的發(fā)生。為保證合適冷軋壓下量而增加的冷軋次數(shù)只能將發(fā)生二次再結(jié)晶的板厚由原來(lái)0.3 mm減薄到0.10 mm,卻難以低于此厚度。

再結(jié)晶,脫碳,成像,高斯


在初次再結(jié)晶法900 ℃退火樣品中觀察到大量立方及強(qiáng)偏轉(zhuǎn)立方取向的晶粒,并且隨著退火時(shí)間的延長(zhǎng),立方、特別是這些強(qiáng)偏轉(zhuǎn)立方織構(gòu)逐漸轉(zhuǎn)變被高斯取向晶粒吞并。根據(jù)Dunn[3]的研究,Goss單晶冷軋并初次再結(jié)晶退火后,{111}<112>形變織構(gòu)重新轉(zhuǎn)變?yōu)楦咚箍棙?gòu),表現(xiàn)為典型的高斯取向遺傳性;但不應(yīng)出現(xiàn)如此多的強(qiáng)偏轉(zhuǎn)立方織構(gòu),因?yàn)樵汲善啡∠蚬桎摪逡呀?jīng)過(guò)二次再結(jié)晶而不應(yīng)存在立方取向晶粒。圖4 二次再結(jié)晶法1200 ℃高溫退火后宏觀組織

【參考文獻(xiàn)】:
期刊論文
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本文編號(hào):3457842

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