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不同工藝下取向硅鋼超薄帶中Goss織構取向分析

發(fā)布時間:2021-10-25 17:14
  采用"初次再結晶法"和"二次再結晶法"制備了0.10 mm和0.05 mm取向硅鋼超薄帶,研究了兩種制備方法下高斯織構形成規(guī)律的差異;考察了"初次再結晶法"中退火時間對織構和磁性能的影響;分析了"二次再結晶法"板厚對二次再結晶的影響。結果表明,"初次再結晶法"所形成的高斯織構是單晶高斯取向晶粒的形變再結晶行為,隨著退火時間的延長,強偏轉立方取向逐漸被高斯取向所取代;采用"二次再結晶法"制備0.05 mm及以下厚度取向硅鋼超薄帶時,二次再結晶難以發(fā)生。 

【文章來源】:材料熱處理學報. 2020,41(10)北大核心CSCD

【文章頁數(shù)】:6 頁

【部分圖文】:

不同工藝下取向硅鋼超薄帶中Goss織構取向分析


初次再結晶法900 ℃下不同退火時間樣品的取向成像

再結晶,磁極,樣品,強度


圖1 初次再結晶法900 ℃下不同退火時間樣品的取向成像圖4給出了兩個厚度樣品緩慢升溫到1200 ℃高溫退火后的宏觀組織:其中0.10 mm厚樣品發(fā)生了完善的二次再結晶,而0.05 mm厚樣品卻未發(fā)生異常長大。經檢測,0.10 mm和0.05 mm樣品J800分別為1.80 T和1.39 T,性能數(shù)據(jù)低于初次再結晶法,推測織構不如前者鋒銳。兩個樣品高溫退火前主要是厚度存在差異,MnS及AlN尺寸及分布應無差異。高溫退火后的結果卻截然不同,說明厚度減薄帶來的表面能作用會嚴重影響抑制劑的有效發(fā)揮,阻礙二次再結晶的發(fā)生。為保證合適冷軋壓下量而增加的冷軋次數(shù)只能將發(fā)生二次再結晶的板厚由原來0.3 mm減薄到0.10 mm,卻難以低于此厚度。

再結晶,脫碳,成像,高斯


在初次再結晶法900 ℃退火樣品中觀察到大量立方及強偏轉立方取向的晶粒,并且隨著退火時間的延長,立方、特別是這些強偏轉立方織構逐漸轉變被高斯取向晶粒吞并。根據(jù)Dunn[3]的研究,Goss單晶冷軋并初次再結晶退火后,{111}<112>形變織構重新轉變?yōu)楦咚箍棙?表現(xiàn)為典型的高斯取向遺傳性;但不應出現(xiàn)如此多的強偏轉立方織構,因為原始成品取向硅鋼板已經過二次再結晶而不應存在立方取向晶粒。圖4 二次再結晶法1200 ℃高溫退火后宏觀組織

【參考文獻】:
期刊論文
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本文編號:3457842

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