本課題在充分閱讀了國內(nèi)外有關(guān)直接敷銅法文獻(xiàn)的基礎(chǔ)上,了解直接敷銅工藝的原理、流程,就直接敷銅技術(shù)中目前國內(nèi)外研究尚未詳細(xì)闡述的預(yù)氧化過程進(jìn)行了探究。在課題探究過程中,通過稱量測增重、金相攝像、紫外可見吸收測定吸光度和拉曼光譜等測試與表征手段,控制預(yù)氧化條件以得到有關(guān)氧化膜物相、氧化膜厚度和銅組織變化的一系列結(jié)論。研究結(jié)果表明:（1）當(dāng)預(yù)氧化溫度為400⁸00℃,氧化時間為1h,氧分壓在100×10^-6700×10^-6范圍內(nèi)時,銅箔表面的預(yù)氧化產(chǎn)物均為Cu₂O。預(yù)氧化過程當(dāng)中預(yù)氧化的溫度過高、氧分壓過大,銅箔表面就會生成CuO物相,而且氧化膜層變厚,表面會出現(xiàn)疏松,并且局部還會出現(xiàn)氧化膜脫落現(xiàn)象,對DBC敷接過程產(chǎn)生不利影響。（2）隨著氧化溫度從400℃升高至800℃,晶粒會發(fā)生再結(jié)晶過程,進(jìn)而發(fā)生長大,晶粒尺寸不斷增加。隨著保溫時間的延長,晶粒從大小不一,分布不均變成大小均勻,晶粒長大速度較緩。在一定范圍內(nèi),溫度對晶粒尺寸的影響大于保溫時間對晶粒尺寸的影響。（3）通過梯度實驗得... 

【文章來源】：南京航空航天大學(xué)江蘇省 211工程院校

【文章頁數(shù)】：76 頁

【學(xué)位級別】：碩士

【部分圖文】：

采用基板、引線和原片級封裝的封裝結(jié)構(gòu)

電子模組和封裝內(nèi)外溫度較低的區(qū)域。在封裝體中，導(dǎo)過程[5]。當(dāng)熱量傳遞至封裝外表面時，一般通過熱。對于低功耗器件，在向外部環(huán)境傳遞熱量時，熱輻度會不斷升高，直到封裝體向外傳遞熱量的速率與產(chǎn)穩(wěn)定。因此，值得指出的是，即使沒有目的地對封裝度的升高。然而，大多數(shù)情況下，如若不采取散熱措軍航空電子整體研究項目的研究結(jié)果表明，55%的器意的是，不同于軍用航空器件，大多數(shù)商用產(chǎn)品中的苛的環(huán)境可靠性測試，所以溫度引起的失效比例可能溫度還會影響 CMOS 電路性能[7]。因此，通過人為設(shè)有必要的。

直到最后到達(dá)底部銅板，傳遞到空氣中去。圖 1.4 是 IGBT 模塊熱潘洋[9]以 IGBT 封裝結(jié)構(gòu)為模型，利用有限元軟件 ANSYS，剖析了熱的，發(fā)現(xiàn) DBC 襯板對芯片結(jié)溫影響較大，這是因為 DBC 襯板中率，對熱傳遞有著較大的阻擋作用。熱傳導(dǎo)是芯片散熱的主要方式板對保證器件正常工作起著至關(guān)重要的作用。

【參考文獻(xiàn)】：
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碩士論文
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本文編號：3362704