直流磁場對CGO取向硅鋼在高溫退火中的影響
發(fā)布時間:2021-08-22 03:20
取向硅鋼廣泛應用于電力工業(yè)以及軍事工業(yè)中,其制造工藝要求苛刻,生產周期長,使生產取向硅鋼所需要的成本高昂,并且現(xiàn)如今暫時沒有代替取向硅鋼的其他軟磁材料,故取向硅鋼被譽為金屬制品中的“藝術品”,是企業(yè)乃至國家特殊鋼生產水平的重要指標。經過多年的發(fā)展,取向硅鋼的生產工藝逐漸成熟,為了提高取向硅鋼的生產效率和產品性能,各企業(yè)都在嘗試對其生產工藝進行改進。近幾年隨著科技的發(fā)展,越來越多的方法被用于熱處理工藝,其中磁場熱處理作為一種新型熱處理技術被人們廣泛關注,并且因為取向硅鋼在生產中會進行多道退火工藝,故磁場熱處理工藝為取向硅鋼的生產提供了新的方向。基于以上原因,本工作在冷軋取向硅鋼的高溫退火階段進行磁場熱處理,通過施加直流磁場,研究了在不同退火時間、不同退火溫度下直流磁場對硅鋼片織構的影響以及對鐵損和磁感應強度的改善;為磁場熱處理工藝技術應用到實際硅鋼生產提供了技術以及機理的支持。通過研究CGO(普通取向)硅鋼高溫退火工藝中進行施加直流磁場的結果表明,對二次冷軋后的CGO硅鋼進行未施加磁場的普通高溫退火及施加0.1T、0.2T磁場高溫退火,在晶粒初次再結晶和二次再結晶階段會促進Goss織構晶...
【文章來源】:內蒙古科技大學內蒙古自治區(qū)
【文章頁數(shù)】:47 頁
【學位級別】:碩士
【部分圖文】:
(a)普通取向硅鋼極圖;(b)取向硅鋼內部Goss取向晶粒的{110}<001>織構晶向與軋制方
內蒙古科技大學碩士學位論文-3-圖1.1(a)普通取向硅鋼極圖;(b)取向硅鋼內部Goss取向晶粒的{110}<001>織構晶向與軋制方向之前的夾角阿爾法;(c)高磁感取向硅鋼極圖普通取向硅鋼的生產工藝是在1934年Goss用兩次冷軋、退火的方法研制出高磁性硅鋼,以及隨后Armco鋼鐵公司對其進行商業(yè)化生產并對冷軋、退火、MgO涂覆、高溫退火等工藝不斷完善的基礎上發(fā)展而來的。高磁感取向硅鋼是1964年由日本新日鐵公司的Taguchi等人發(fā)明的采用一次大壓下率冷軋工藝制得的。典型的取向硅鋼生產工藝流程[6,7]如圖1.2及表1.1所示。圖1.2典型的取向硅鋼生產工藝流程圖[6,7]
內蒙古科技大學碩士學位論文-11-圖1.3冷軋無取向硅鋼在不同磁場強度退火時η織構及{100}織構密度(a)η織構的密度;(b){100}織構的密度LuZ[47]等人在Hi-B硅鋼進行脫碳退火階段施加強度為1T的磁場,發(fā)現(xiàn)織構的磁導率不同導致在退火過程中磁場對不同取向的晶粒產生的效果不同。且磁場能在脫碳退火階段抑制{111}<110>織構,促進Goss織構晶粒的形核。Goss織構晶粒一般在溫度為850℃時產生,但在退火過程中施加磁場可使Goss織構晶粒在750℃就能產生。故磁場在退火過程中能過促進Goss織構形成使其在較低溫度即可產生,并且能夠對{111}織構以及γ織構產生有效抑制行為,退火溫度越接近居里點時施加磁場,產生的效果越好。1.4.2磁場退火對晶界遷移的影響晶界是兩個相鄰晶粒的接觸面,雖然只占了材料內部組織的一小部分,但卻對研究制造新材料極其重要。取向硅鋼在高溫退火階段,在內部晶粒發(fā)生異常長大二次再結晶的過程中,其內部晶界的狀態(tài)現(xiàn)在還是取向硅鋼研究者的一個未解之謎。近年來研究人員長時間的研究表明在進行退火處理階段施加磁場可以對晶粒的晶界產生較大影響。TadaoWatanabe[48]等人研究發(fā)現(xiàn),對鐵鈷合金退火階段施加0.2T和0.5T的交流磁場,
本文編號:3356895
【文章來源】:內蒙古科技大學內蒙古自治區(qū)
【文章頁數(shù)】:47 頁
【學位級別】:碩士
【部分圖文】:
(a)普通取向硅鋼極圖;(b)取向硅鋼內部Goss取向晶粒的{110}<001>織構晶向與軋制方
內蒙古科技大學碩士學位論文-3-圖1.1(a)普通取向硅鋼極圖;(b)取向硅鋼內部Goss取向晶粒的{110}<001>織構晶向與軋制方向之前的夾角阿爾法;(c)高磁感取向硅鋼極圖普通取向硅鋼的生產工藝是在1934年Goss用兩次冷軋、退火的方法研制出高磁性硅鋼,以及隨后Armco鋼鐵公司對其進行商業(yè)化生產并對冷軋、退火、MgO涂覆、高溫退火等工藝不斷完善的基礎上發(fā)展而來的。高磁感取向硅鋼是1964年由日本新日鐵公司的Taguchi等人發(fā)明的采用一次大壓下率冷軋工藝制得的。典型的取向硅鋼生產工藝流程[6,7]如圖1.2及表1.1所示。圖1.2典型的取向硅鋼生產工藝流程圖[6,7]
內蒙古科技大學碩士學位論文-11-圖1.3冷軋無取向硅鋼在不同磁場強度退火時η織構及{100}織構密度(a)η織構的密度;(b){100}織構的密度LuZ[47]等人在Hi-B硅鋼進行脫碳退火階段施加強度為1T的磁場,發(fā)現(xiàn)織構的磁導率不同導致在退火過程中磁場對不同取向的晶粒產生的效果不同。且磁場能在脫碳退火階段抑制{111}<110>織構,促進Goss織構晶粒的形核。Goss織構晶粒一般在溫度為850℃時產生,但在退火過程中施加磁場可使Goss織構晶粒在750℃就能產生。故磁場在退火過程中能過促進Goss織構形成使其在較低溫度即可產生,并且能夠對{111}織構以及γ織構產生有效抑制行為,退火溫度越接近居里點時施加磁場,產生的效果越好。1.4.2磁場退火對晶界遷移的影響晶界是兩個相鄰晶粒的接觸面,雖然只占了材料內部組織的一小部分,但卻對研究制造新材料極其重要。取向硅鋼在高溫退火階段,在內部晶粒發(fā)生異常長大二次再結晶的過程中,其內部晶界的狀態(tài)現(xiàn)在還是取向硅鋼研究者的一個未解之謎。近年來研究人員長時間的研究表明在進行退火處理階段施加磁場可以對晶粒的晶界產生較大影響。TadaoWatanabe[48]等人研究發(fā)現(xiàn),對鐵鈷合金退火階段施加0.2T和0.5T的交流磁場,
本文編號:3356895
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