通過對純鎂進行不同電壓參數(shù)的陽極氧化（5、10、20、40V）,然后進行450℃高溫退火處理,對鎂表面氧化膜層進行優(yōu)化。利用掃描電子顯微鏡分析膜層表面及截面形貌,用原子力顯微鏡分析三維結(jié)構(gòu)及粗糙度,通過電化學(xué)極化實驗與體外浸泡試驗評估耐腐蝕性能,通過CCK-8試驗評估對小鼠成骨細胞MC3T3-E1的增殖活性影響。結(jié)果表明,電壓的升高可以使表面膜層從層板狀變得多孔,繼續(xù)升高電壓又變得光滑均勻。退火處理維持了基本形貌特征,膜層厚度有所增加,粗糙度有所下降。未退火膜層由于微孔的存在以及氫氧化鎂的不穩(wěn)定導(dǎo)致耐腐蝕性能并未增高,退火所形成的致密氧化鎂結(jié)晶膜層對基體有一定的保護作用,其中40 V氧化后退火組樣品擁有相對較好的耐腐蝕性能,且對細胞增殖無明顯抑制作用,具有良好的生物相容性。 

【文章來源】：稀有金屬材料與工程. 2020,49(06)北大核心EISCICSCD

【文章頁數(shù)】：7 頁

【部分圖文】：

掃描電鏡下各組試樣的表面形貌以及橫截面形貌

圖7顯示了40V氧化后退火試樣與純鎂在培養(yǎng)第1、3和7天通過CCK-8方法測量的MC3T3-E1細胞的增殖和培養(yǎng)液pH值變化。可以看到隨時間延長，2組試樣通過CCK-8分析測得可以代表細胞活性的OD值均不斷升高，即材料對細胞無明顯毒副作用，并不影響增殖進程；在各時間點40V氧化退火組都表現(xiàn)出比純鎂組更好的細胞活性，說明其對細胞增殖的抑制作用更小。測量培養(yǎng)液的pH值觀測到，雖然2組培養(yǎng)液環(huán)境都偏堿性，但同一個時間點40 V氧化退火組pH值均相較更低，更有利于創(chuàng)造細胞生長增殖的環(huán)境。圖3 各組試樣的三維形貌和表面粗糙度

各組試樣的三維形貌和表面粗糙度

【參考文獻】：
期刊論文
[1]Na2SiO3濃度對復(fù)合陽極氧化膜性能的影響[J]. 溝引寧,蘇勇要,譚祖君,銀航,韓小虎.  重慶理工大學(xué)學(xué)報(自然科學(xué)). 2017(04)
[2]鎂合金的陽極氧化研究[J]. 霍宏偉,鄭志國,李明升,張軻,曹中秋.  稀有金屬材料與工程. 2005(09)



本文編號：3298774