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溝道長(zhǎng)度和寬度對(duì)石墨烯場(chǎng)效應(yīng)晶體管電荷輸運(yùn)的影響(英文)

發(fā)布時(shí)間:2021-11-25 09:59
  本文基于理論的方法研究了溝道長(zhǎng)度和寬度對(duì)石墨烯場(chǎng)效應(yīng)晶體管中大信號(hào)和小信號(hào)參數(shù)的影響.在快速飽和及高特征頻率條件下,石墨烯場(chǎng)效應(yīng)晶體管均表現(xiàn)出優(yōu)異的性能.從傳遞曲線可以看到,隨著溝道長(zhǎng)度從440 nm變到20 nm,產(chǎn)生了一個(gè)從0.15 V到0.35 V的狄拉克點(diǎn)正偏移,同時(shí)也揭示了石墨烯的雙極特性.而且,由于溝道變寬及漏電流增加,當(dāng)溝道寬度為2μm和5μm時(shí),相應(yīng)的最大電流為2.4 mA和6 mA.另外,還在石墨烯場(chǎng)效應(yīng)晶體管中觀察到了幾乎對(duì)稱的電容-電壓特性,電容會(huì)隨著溝道變短而減小,但另一方面電容又可以通過(guò)溝道展寬來(lái)增加.最后,在溝道長(zhǎng)度為20 nm處獲得了一個(gè)6.4 mS的高跨導(dǎo),在溝道寬度為5μm處獲得的跨導(dǎo)值為4.45 mS,特征頻率為3.95 THz. 

【文章來(lái)源】:Chinese Journal of Chemical Physics. 2020,33(06)SCICSCD

【文章頁(yè)數(shù)】:7 頁(yè)

【文章目錄】:
I.INTRODUCTION
II.GFET MODEL
III.MATHEMATICAL MODELS AND METHODS
IV.RESULTS AND DISCUSSION
     A.Large signal analysis
    B.Small signal analysis
        1.The transconductance gm
        2.The gate-source capacitance Cgs
        3.The transit frequency f T
V.CONCLUSION



本文編號(hào):3517908

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